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電子元器件百科

  • MOS管單相能量回收反相器電路-MOS管知識-竟業(yè)電子
    MOS管單相能量回收反相器電路-MOS管知識-竟業(yè)電子
    電路功率消耗源 1.邏輯轉換引起邏輯門對負載電容充電及放電功率消耗; 2.邏輯門瞬時短路電流功率消耗; 3.電子元器件漏電流消耗; 每進一次新制造技術會導致漏電流增加20倍,漏電流引起消耗是功率消耗主因。降低功耗 1.減小電源電壓 2.調整晶體管尺寸 3.并行和流水線系統(tǒng)結構,利用睡眠模式,采用電路;

    時間:2020/8/6 關鍵詞:MOS管

  • mos管并聯(lián)均流注意事項-mos管知識-竟業(yè)電子
    mos管并聯(lián)均流注意事項-mos管知識-竟業(yè)電子
    mos管在并聯(lián)電路中每一個MOS管均流必須注意的事項: 無論在開通,關斷,導通過程中流過MOS管,電流都會讓MOS管工作在安全區(qū)內(nèi),MOS管安全作用得保障。MOS管并聯(lián)均流技術,可以保證MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi),可提高并聯(lián)電路工作可靠性。 1.開通Td(on)與關斷延遲時間td(off): 開通上升、關斷下降時間,在同一驅動脈沖作用下,開通、關斷、上升、下降不同 , 引起MOS管開通或關斷時刻不同,引起先開通或后關斷的MOS 管流過整個回路電流,此時電流偏大,不限制,對MOS 管安全工作造成威脅。 2.開啟電壓VGSth 同一驅動脈沖作用,開啟電壓不同,引起MOS管開通時間不同,引起先開通MOS管先流過整個回路電流,此刻電流很大,應該限制,不然后對MOS管安全工作造成威脅;

    時間:2020/8/4 關鍵詞:mos管

  • MOS管柵極控制晶閘管MCT優(yōu)勢及原理-MOS管知識-竟業(yè)電子
    MOS管柵極控制晶閘管MCT優(yōu)勢及原理-MOS管知識-竟業(yè)電子
    MOS管柵極控制晶閘管結構 1.MOS場控晶閘管(MCT); 2.基極電阻控制晶閘管(BRT); 3.射極開關晶閘管(EST);MCT優(yōu)勢 1.阻斷電壓高,可達4000V; 2.通態(tài)壓降??; 3.驅動功率低; 4.開關速度快,超過GTR; 5.開關損耗;

    時間:2020/7/31 關鍵詞:MOS管

  • 開關MOS管耗散計算方法-MOS管知識-竟業(yè)電子
    開關MOS管耗散計算方法-MOS管知識-竟業(yè)電子
    開關MOS管電阻損耗計算公式如下: PDRESISTIVE=[ILOAD2×RDS(ON)HOT]×(VOUT/VIN) 與同步整流器計算方法差不多。 開關MOS管損耗計算公式 PDSWITCHING=(CRSS×VIN2×fSW×ILOAD)/IGATE? CRSS=MOS管反向轉換電容(一個性能參數(shù)) fSW=開關頻率 考慮成本:選擇比較少,某一代MOS管功率耗散最小且具有相等電阻損耗和開關損耗的型號; 如用更小,更快的MOS管,電阻損耗增加幅度?> 開關損耗減小幅度 如用更大RDS(ON)低MOS管,開關損耗增加幅度?> 電阻損耗減小幅度

    時間:2020/7/29 關鍵詞:

  • MOS場效應管穩(wěn)壓幾種電路分析-場效應管應用-竟業(yè)電子
    MOS場效應管穩(wěn)壓幾種電路分析-場效應管應用-竟業(yè)電子
    整流濾波電路: 組成:整流橋堆UR+整流二極管VD1+VD2和濾波電容C1+C3 穩(wěn)壓電路: 組成:電阻(R1+R3+R5)+穩(wěn)壓二極管VS2+晶體管V+二極管VD3+濾波電容C2+三端穩(wěn)壓集成電路(IC1+IC2) 交流220V電壓—UR整流—C3濾波分叉: 1.經(jīng)VD1—R2—VF漏極 2.經(jīng)VD2—R4—VF柵極 VF導通 接電源:RP電壓低,截止狀態(tài):VD3,V; VF源極輸出電壓對C2快速充電; RP電壓=一定值,導通VD3,V VF截止,對C2充電暫停; 調節(jié)RP阻值改變C2充電時間,即可調節(jié)輸出電壓大?。? 將C2兩端電壓調至15V,當電壓經(jīng)IC1及IC2穩(wěn)壓,即可得需穩(wěn)定電壓:9V,12V; 注意:此開開關穩(wěn)壓電路底板帶電。

    時間:2020/7/28 關鍵詞:場效應管

  • CPLD芯片保護MOS管電路-mos知識-竟業(yè)電子
    CPLD芯片保護MOS管電路-mos知識-竟業(yè)電子
    CPLD保護電路 原理:對輸入MOS管電路的典型異常信號(連續(xù)波信號+短周期脈沖信號+高電平長脈沖信號)進行輸入保護。 異常輸入信號:連續(xù)波信號+短周期脈沖信號+高電平長脈沖信號組成; 如:連續(xù)波信號?> 10ms脈沖寬度信號? 短周期脈沖信號?< 200ms脈沖周期信號 其它參數(shù)異常信號,通過簡單設置軟件計數(shù)器改變 保護功能與時序: DSP電路為保護電路輸入連續(xù)高電平,保護電路以第一個上升沿為基準,檢測10kHz頻率信號第一個周期100μs,如無下跳沿,保護輸出50μs長高電平后,關閉輸出端口,保持低電平。

    時間:2020/7/24 關鍵詞:MOS管

  • 英飛凌場效應管MOS管BSC047N08NS3 G參數(shù)應用-竟業(yè)電子
    英飛凌場效應管MOS管BSC047N08NS3 G參數(shù)應用-竟業(yè)電子
    OptiMOS? 是發(fā)電(如太陽能微型逆變器)、電源(如服務器和電信)和功耗(如電動汽車)的高效解決方案的市場領導者。 英飛凌場效應管MOS管BSC047N08NS3 G功能概述 1.DC-DC轉換器的優(yōu)化技術 2.出色的門極充電x R DS(ON)產(chǎn)品(FOM) 3.卓越的耐熱性 4.雙面冷卻 5.低寄生電感 6.低輪廓(<0,7mm) 7.N通道,正常電平 8.100%雪崩測試 9.無鉛電鍍;符合RoHS

    時間:2020/7/22 關鍵詞:MOS管

  • MOS管與三極管為什么要加下拉電阻-MOS管三極管知識-竟業(yè)電子
    MOS管與三極管為什么要加下拉電阻-MOS管三極管知識-竟業(yè)電子
    MOS管加下拉電阻作用 下拉電阻與泄放電阻作用相同,保護MOS管;三極管加下拉電阻作用 作用:可增加電路可靠性; 注意:下拉電阻值不能太大,也不能太??; 過大:會讓基極電流不足以驅動三極管; 過?。褐缕秒妷?< 三極管d導通電壓; 下拉電阻值 ≤100K; 此外,有時在高速信號開關電路中,與下拉電阻并聯(lián)電容,提高性能;

    時間:2020/7/21 關鍵詞:MOS管三極管

  • 英飛凌BSC031N06NS3 G參數(shù)應用-場效應管mos管-竟業(yè)電子
    英飛凌BSC031N06NS3 G參數(shù)應用-場效應管mos管-竟業(yè)電子
    OptiMOS??60V是開關電源(SMP)中同步整流的理想選擇,例如服務器、臺式機和平板電腦充電器。此外,這些器件還可用于廣泛的工業(yè)應用,包括電機控制、太陽能微逆變器和快速開關DC-DC變換器。 英飛凌場效應管mos管BSC031N06NS3 G功能概述 1.出色的門極充電x R DS(on)產(chǎn)品(FOM) 2.極低導通電阻Rds(on) 3.適用于快速切換應用 4.符合RoHS標準-無鹵素 5.MSL1額定值

    時間:2020/7/17 關鍵詞:mos管

  • Coolmos優(yōu)勢應用-看Coolmos參數(shù)選擇型號-MOS管知識-竟業(yè)電子
    Coolmos優(yōu)勢應用-看Coolmos參數(shù)選擇型號-MOS管知識-竟業(yè)電子
    Coolmos是什么 Coolmos是英飛凌推出,是C3系列最有代表性新品; Coolmos優(yōu)勢: 1.Coolmos的RDS(ON)是普通MOS管一半; 2.可降低損耗,提高效率;? 3.同功率封裝小,電源可縮?。? 4.柵極開啟電壓限高,搞干擾能力強; 5.柵極電荷小,驅動功率??; 6.節(jié)電容小,開關損耗小;

    時間:2020/7/14 關鍵詞:Coolmos

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