MCT全稱MOS-Controlled Thyristor)

是一種新型MOS與雙極復(fù)合型電子元器件

是功率半導(dǎo)體電子元器件，通過MOS門控的電流和晶閘管電壓；

作用：接通與關(guān)斷

應(yīng)用：大功率+大頻率+低傳導(dǎo)性+后續(xù)工藝；

 

 

MOS管柵極控制晶閘管結(jié)構(gòu)

1.MOS場控晶閘管（MCT）；

2.基極電阻控制晶閘管(BRT)；

3.射極開關(guān)晶閘管(EST)；

 

MOS管柵極控制晶閘管優(yōu)勢：

晶閘管優(yōu)勢：通態(tài)特性+良好的開通+關(guān)斷特性

MOS管優(yōu)勢：輸入阻抗高+驅(qū)動功率低+開關(guān)速度快

 

MCT優(yōu)勢

1.阻斷電壓高，可達(dá)4000V；

2.通態(tài)壓降小；

3.驅(qū)動功率低；

4.開關(guān)速度快，超過GTR；

5.開關(guān)損耗；

 

未來可成為：自關(guān)斷動態(tài)+低通態(tài)電壓降+耐高壓

在電力裝置和電力系統(tǒng)中有發(fā)展高壓大功率器件；

MCT元器件最大可斷電流300A，最高阻斷電壓為3KV，關(guān)斷電流密度325A/cm2

MCT多個并聯(lián)組成模塊

 

MCT元器件=數(shù)以萬計MCT元組成

MCT元組成結(jié)構(gòu)：PNPN晶閘管+控制MCT導(dǎo)通MOS管（on-FET）+控制MCT關(guān)斷MOS管（off-FET）(每種各一個)

PNPN晶閘管（等效）=PNP+NPN晶體管

 

MCT導(dǎo)通

柵極加正脈沖電壓，N溝道的on-FET導(dǎo)通，漏極電流為PNP晶體管提供基極電流讓它導(dǎo)通；

PNP晶體管集電極電流：為PNP晶體管提供基極電流讓它導(dǎo)通；

NPN晶體管集電極電流：反向成為PNP晶體管基極電流；

正反饋α1+α2>1，MCT導(dǎo)通;

 

MCT關(guān)斷

柵極加負(fù)電壓脈沖:

P溝道的off-FET導(dǎo)通，PNP晶體管集電極電流—off-FET—向陰極，但不注入NPN晶體管基極

NPN晶體管集電極電流減小，NPN晶體管基極電流減小

正反饋α1+α2<1,MCT關(guān)斷；