mos管在并聯(lián)電路中每一個(gè)MOS管均流必須注意的事項(xiàng)：

無(wú)論在開(kāi)通，關(guān)斷，導(dǎo)通過(guò)程中流過(guò)MOS管，電流都會(huì)讓MOS管工作在安全區(qū)內(nèi)，MOS管安全作用得保障。MOS管并聯(lián)均流技術(shù)，可以保證MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi)，可提高并聯(lián)電路工作可靠性。

 

1.開(kāi)通Td(on)與關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：

開(kāi)通上升、關(guān)斷下降時(shí)間，在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，開(kāi)通、關(guān)斷、上升、下降不同 ，

引起MOS管開(kāi)通或關(guān)斷時(shí)刻不同，引起先開(kāi)通或后關(guān)斷的MOS 管流過(guò)整個(gè)回路電流，此時(shí)電流偏大，不限制，對(duì)MOS 管安全工作造成威脅。

 

2.開(kāi)啟電壓VGSth

同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用，開(kāi)啟電壓不同，引起MOS管開(kāi)通時(shí)間不同，引起先開(kāi)通MOS管先流過(guò)整個(gè)回路電流，此刻電流很大，應(yīng)該限制，不然后對(duì)MOS管安全工作造成威脅；

 

3.驅(qū)動(dòng)極回路驅(qū)動(dòng)輸入電阻，等效輸入電容，等效輸入電感，都會(huì)造成引起MOS管開(kāi)通或判斷時(shí)間不同；

 

4.飽和壓降VDs或?qū)?/span>RDSon

所有并聯(lián)MOS管，導(dǎo)通壓降是相同的，飽和電壓小MOS管先流過(guò)較大電流，結(jié)溫升高，MOS管壓降增大，流過(guò)MOS管壓降大MOS管電流又會(huì)增大，致減輕MOS管壓降小MOS管工作壓力。

N溝道功率型MOS管飽和壓降VDs或導(dǎo)通電阻RDSon有正溫度特性，適合并聯(lián)。