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設(shè)計(jì)應(yīng)用

MOS管單相能量回收反相器電路-MOS管知識(shí)-竟業(yè)電子

時(shí)間:2020/8/6閱讀:1835 關(guān)鍵詞:MOS管

電路功率消耗源

1.邏輯轉(zhuǎn)換引起邏輯門對(duì)負(fù)載電容充電及放電功率消耗;

2.邏輯門瞬時(shí)短路電流功率消耗

3.電子元器件漏電流消耗;

每進(jìn)一次新制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流增加20,漏電流引起消耗功率消耗主因。

 

降低功耗

1.減小電源電壓

2.調(diào)整晶體管尺寸

3.并行和流水線系統(tǒng)結(jié)構(gòu),利用睡眠模式,采用電路;

 

什么是能量回收邏輯

基于絕熱計(jì)算發(fā)展起來一種低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)

單相正弦電源時(shí)鐘能量回收邏輯

用此原理電路設(shè)計(jì)一個(gè)兩位數(shù)字電路,與靜態(tài)CMOS數(shù)字乘法器相比,能量回收乘法器降低功率消耗。

 

工作原理

反相器說明電路工作原理如下圖所示:

M1M2連接方式與靜態(tài)CMOS邏輯電路相似

 

但:電源一個(gè)正弦信號(hào)代替不是恒定不變,

信號(hào)作用同步電路工作,即電源時(shí)鐘;

M3M4連接成二極管形式

作用:控制充放電路徑;

 

 

輸入信號(hào)B=邏輯O  M1導(dǎo)通,M2截止。

正弦信號(hào)正半周M3 M1向負(fù)載電容充電電容充電到最大值,M3阻止電容向輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)放電,輸出保持在高電平不變。

 

輸入信號(hào)B=邏輯1M1截止,M2導(dǎo)通。

正弦信號(hào)負(fù)半周負(fù)載電容通過M2M4向輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)放電,電容放電到最小值,

M4能夠阻止輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)向電容充電,輸出保持為低電平不變。

 

基于單相能量回收電路乘法器

兩位乘法器能夠?qū)崿F(xiàn)2位二進(jìn)制數(shù)乘法運(yùn)算,設(shè)A1A0B1B0為乘數(shù)和被乘數(shù),P3P2P1P0為乘法運(yùn)算得到的積,兩位乘法器的輸出邏輯函數(shù)表達(dá)式分別為

 

 

為了能用基本的與非門、或非門和異或門電路實(shí)現(xiàn)乘法器,上式可以通過邏輯運(yùn)算變換為:

 

 

實(shí)現(xiàn)電路,將靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成的與非門、或非門和異或門的電源時(shí)鐘電路代替。

Clk+PMOSD極,Clk-NMOSS極。

靜態(tài)CMOS反相器電路圖如下所示:

電源時(shí)鐘電路圖如下所示:

 

仿真結(jié)果

PSpice環(huán)境,分別仿真用靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路見下圖所示:輸出4位積低2P1P0,輸入信號(hào) A1A0,B1B0波形如下:

采用CMOS 12μm技術(shù),正弦波峰峰值=25 V,直流電壓VDD=25 V,假設(shè)乘法器的輸出端接負(fù)載電容=O1 fF。

 

用靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成乘法器輸出比較穩(wěn)定,輸出=0VDD,功率消耗=151×10-7W

單相能量回收電路構(gòu)成的二位乘法器的輸出不夠穩(wěn)定,對(duì)噪聲信號(hào)敏感,但并不影響輸出邏輯,功率消耗減小為117×10-7W

從節(jié)能方面,單相能量回收電路性能更好。