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時(shí)間:2020/8/6閱讀:1838 關(guān)鍵詞:MOS管
電路功率消耗源
1.邏輯轉(zhuǎn)換引起邏輯門對(duì)負(fù)載電容充電及放電功率消耗;
2.邏輯門瞬時(shí)短路電流功率消耗;
3.電子元器件漏電流消耗;
每進(jìn)一次新制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流增加20倍,漏電流引起消耗是功率消耗主因。
降低功耗
1.減小電源電壓
2.調(diào)整晶體管尺寸
3.并行和流水線系統(tǒng)結(jié)構(gòu),利用睡眠模式,采用電路;
什么是能量回收邏輯
是基于絕熱計(jì)算發(fā)展起來(lái)一種低功耗設(shè)計(jì)技術(shù);
單相正弦電源時(shí)鐘能量回收邏輯
用此原理電路設(shè)計(jì)一個(gè)兩位數(shù)字電路,與靜態(tài)CMOS數(shù)字乘法器相比,此能量回收乘法器降低功率消耗。
工作原理
用反相器說(shuō)明電路工作原理如下圖所示:
M1與M2連接方式與靜態(tài)CMOS邏輯電路相似
但:電源用一個(gè)正弦信號(hào)代替,不是恒定不變,
此信號(hào)作用:同步電路工作,即電源時(shí)鐘;
M3與M4連接成二極管形式
作用:控制充放電路徑;
輸入信號(hào)B=邏輯“O” : M1導(dǎo)通,M2截止。
正弦信號(hào)正半周:M3 M1向負(fù)載電容充電,電容充電到最大值,M3阻止電容向輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)放電,輸出保持在高電平不變。
輸入信號(hào)B=邏輯“1”:M1截止,M2導(dǎo)通。
正弦信號(hào)負(fù)半周:負(fù)載電容通過M2和M4向輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)放電,電容放電到最小值,
M4能夠阻止輸入正弦時(shí)鐘信號(hào)向電容充電,輸出保持為低電平不變。
基于單相能量回收電路乘法器
兩位乘法器能夠?qū)崿F(xiàn)2位二進(jìn)制數(shù)乘法運(yùn)算,設(shè)A1A0,B1B0為乘數(shù)和被乘數(shù),P3P2P1P0為乘法運(yùn)算得到的積,兩位乘法器的輸出邏輯函數(shù)表達(dá)式分別為:
為了能用基本的與非門、或非門和異或門電路實(shí)現(xiàn)乘法器,上式可以通過邏輯運(yùn)算變換為:
實(shí)現(xiàn)電路,將靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成的與非門、或非門和異或門的電源時(shí)鐘電路代替。
Clk+接PMOS管D極,Clk-接NMOS管S極。
靜態(tài)CMOS反相器電路圖如下所示:
電源時(shí)鐘電路圖如下所示:
仿真結(jié)果
在PSpice環(huán)境,分別仿真用靜態(tài)CMOS電路和單相能量回收電路構(gòu)成的兩位乘法器電路見下圖所示:輸出4位積低2位P1P0,輸入信號(hào) A1A0,B1B0波形如下:
采用CMOS 1.2μm技術(shù),正弦波峰峰值=2.5 V,直流電壓VDD=2.5 V,假設(shè)乘法器的輸出端接負(fù)載電容=O.1 fF。
用靜態(tài)CMOS電路構(gòu)成乘法器輸出比較穩(wěn)定,輸出=0或VDD,功率消耗=1.51×10-7W。
單相能量回收電路構(gòu)成的二位乘法器的輸出不夠穩(wěn)定,對(duì)噪聲信號(hào)敏感,但并不影響輸出邏輯,功率消耗減小為1.17×10-7W。
從節(jié)能方面,單相能量回收電路性能更好。