650 V、1200 V和1700 V  CoolSiC™ MOSFET分立器件非常適合于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?/span>

英飛凌infineon CoolSiC™ mosfet是建立在最先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體工藝上的，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，在應(yīng)用中損耗最低，在運(yùn)行中可靠性最高。離散CoolSiC™ 到和貼片外殼的組合有650 V、1200 V和1700 V電壓等級(jí)，導(dǎo)通電阻額定值從27 mΩ到1000 mΩ。CoolSiC™ trench技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)靈活的參數(shù)集，用于在各自的產(chǎn)品組合中實(shí)現(xiàn)特定于應(yīng)用的特性，例如：門源電壓、雪崩規(guī)范、短路能力或額定為硬換流的內(nèi)部體二極管。

CoolSiC™ 分立封裝的mosfet非常適合于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?，如功率因?shù)校正（PFC）電路、雙向拓?fù)浜?/span>DC-DC變換器或DC-AC逆變器。對(duì)不需要的寄生導(dǎo)通效應(yīng)的出色抗擾性在低動(dòng)態(tài)損耗方面創(chuàng)造了一個(gè)基準(zhǔn)，即使在橋拓?fù)渲袨榱惴P(guān)斷電壓。我們的TO和SMD產(chǎn)品還配有開爾文源引腳，以優(yōu)化開關(guān)性能。

 

英飛凌infineon用一系列精選的驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品來(lái)完成SiC分立產(chǎn)品的供應(yīng)，以滿足超高速SiC MOSFET開關(guān)特性的需求。一起，酷西奇™ MOSFETs和EiceDRIVER™ 門驅(qū)動(dòng)器集成電路利用了SiC技術(shù)的優(yōu)勢(shì)：提高了效率，節(jié)省了空間和重量，減少了零件數(shù)量，提高了系統(tǒng)可靠性。

 

CoolSiC™分立外殼中的mosfet帶有一個(gè)快速的內(nèi)部自由旋轉(zhuǎn)二極管，因此在沒(méi)有額外二極管芯片的情況下實(shí)現(xiàn)硬開關(guān)成為可能。由于其單極性，mosfet顯示出非常低的溫度無(wú)關(guān)開關(guān)和低的傳導(dǎo)損耗，特別是在部分負(fù)載條件下。

 

英飛凌infineon獨(dú)特的碳化硅（SiC）CoolSiC™ 1200伏和650伏的MOSFET分立產(chǎn)品非常適合于LLC和ZVS等硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)?，并且可以?/span>IGBT或CoolMOS那樣驅(qū)動(dòng)™，使用標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序。這些穩(wěn)健性器件通過(guò)最先進(jìn)的溝道設(shè)計(jì)提供了優(yōu)越的柵氧化層可靠性、最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗、最高的跨導(dǎo)水平（增益）、Vth=4v的閾值電壓和短路穩(wěn)健性。

 

英飛凌infineon碳化硅MOSFET特征

1.低器件電容

2.溫度無(wú)關(guān)開關(guān)損耗

3.低反向恢復(fù)電荷本征二極管

4.無(wú)閾值狀態(tài)特性

 

英飛凌infineon碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)

1.優(yōu)越的柵氧化層可靠性

2.最佳開關(guān)和傳導(dǎo)損耗

3.IGBT兼容驅(qū)動(dòng)（+18 V）

4.閾值電壓，Vth>4v

5.短路和雪崩魯棒性

 

英飛凌infineon碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)

1.降低冷卻效果的最高效率

2.壽命更長(zhǎng)，可靠性更高

3.高頻操作

4.降低系統(tǒng)成本

5.功率密度增加

6.降低系統(tǒng)復(fù)雜性

7.易于設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)