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CMOS：指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，微機(jī)主板上一塊可讀寫的RAM芯，CMOS RAM是一塊存儲(chǔ)器，只有數(shù)據(jù)保存功能； 作用：保存系統(tǒng)硬件配置和用戶對(duì)某些參數(shù)設(shè)定，參數(shù)設(shè)定要通過專門的程序； CMOS：主板電池供電，即使系統(tǒng)掉電，信息也不會(huì)丟失； CMOS應(yīng)用：集成電路芯片制造，CMOS模擬開關(guān) 是可控開關(guān)，只應(yīng)用于：幅度不超作電壓，小電流模擬或數(shù)字信號(hào)，不可用在大電流，高電壓情況下； 如：四路視頻信號(hào)切換器+數(shù)控電阻網(wǎng)絡(luò)+音量調(diào)節(jié)電路+單按鈕音量控制器； 模擬開關(guān)：通過數(shù)字量控制傳輸門接通或斷開，以傳輸數(shù)字信號(hào)或模擬信號(hào)的開關(guān)；

混頻器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) 1.混頻器工作穩(wěn)定性：考慮本機(jī)振蕩器頻率不穩(wěn)定引起混頻器輸出不穩(wěn)等； 2.混頻器輸入端和輸出端連接條件：選定電路和設(shè)計(jì)回路時(shí)，應(yīng)考慮匹配問題； 3.場效應(yīng)管混頻性能比三極管混頻好：場效應(yīng)管工作頻率高，特性近似平方率，動(dòng)態(tài)范圍大，非線性失真小，噪聲系數(shù)低，單向傳播性能好。 4.混頻放大系數(shù)越大越好：增大混頻放大系數(shù)即提高接收機(jī)靈敏度。 混頻放大系數(shù)：指混頻器中頻輸出電壓振幅與變頻輸入信號(hào)電壓振幅比，也叫混頻電壓增益。 5.混頻器噪聲系數(shù)越小越好：混頻器設(shè)計(jì)，要按設(shè)備總噪聲系數(shù)分配要求，合理選擇線路和電子元器件及工作點(diǎn)電流。 6.減少混頻器頻率失真及非線性失真，本振頻率產(chǎn)生各種混頻現(xiàn)象； 7.混頻器工作在非線性特性不過于嚴(yán)重的區(qū)域，即能完成頻率變換，減少產(chǎn)生各種形式干擾； 8.混頻器中頻輸出電路具有良好選擇性，可抑制不需干擾頻率。

1.VMOS場效應(yīng)管功率模塊，應(yīng)用于：交流電機(jī)調(diào)速器+逆變器 如：IRFT001型模塊，內(nèi)部有N溝道，P溝道管各三個(gè)構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)； 2.N溝道?VNF系列產(chǎn)品，Supertex?超高頻功率場效應(yīng)管 如：應(yīng)用在：高速開關(guān)電路+廣播+通信設(shè)備 最高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A??PDM=30W??共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS 3.VMOS場效應(yīng)管加散熱器后才能使用； 如：VNF306，加裝140mm×140mm×4mm?散熱器，即最大功率可達(dá)30W 4.VMOS場效應(yīng)管=N溝道+P溝道 大部份是N溝道，因P溝道測量時(shí)應(yīng)交換表筆位置；

1.動(dòng)態(tài)響應(yīng)好 2.濾波電感平均電流=輸出電流/2，輸出濾波電感損耗??； 3.大電流同步整流原理連接線少，倍流整流拓?fù)渲校边叴箅娏鬟B接線有2路，但中間抽頭拓?fù)溆?路； 4.變壓器副邊一個(gè)繞組，副邊繞組數(shù)=中間抽頭結(jié)構(gòu)/2，副邊損耗功率較小； 5.輸出有兩個(gè)濾波電感上的電流相加，得到輸出負(fù)載電流，電感上電流紋波有相互抵消作用，輸出電流紋波?。? 半橋他激缺點(diǎn) 有兩個(gè)輸出濾波電感，體積大。 改善方法：集成磁方法 將兩個(gè)輸出濾波電感+變壓器都集成在一個(gè)磁芯內(nèi)，即體積變?。?

在電源設(shè)計(jì)中，MOS管是最常使用的電子元器件，一般情況是作為開關(guān)使用，不可避免在過電流時(shí)就會(huì)遇到發(fā)熱的情況，一般情況是過大電流時(shí)發(fā)熱，并做好散熱工作即可，但在過小電流MOS管發(fā)熱比較少見，那么什么原因及解決方案是什么呢？ 小電流mos管發(fā)熱原因 1.散熱設(shè)計(jì)的問題：電流過高，不得超過MOS管標(biāo)稱電流值用散熱要做好； 2.必須ID< 最大電流，或發(fā)熱嚴(yán)重，則要有輔助散熱片； 3.MOS管選型錯(cuò)誤，功率判斷錯(cuò)誤，MOS管內(nèi)阻沒考慮，因此開關(guān)阻抗增大； 4.頻率太高，因追求體積，頻率提高，MOS管損耗增加，發(fā)熱增加。 5.電路設(shè)計(jì)：MOS管工作在線性狀態(tài)，不是開關(guān)狀態(tài)，因此MOS管發(fā)熱； 6.若NMOS管，柵極G電壓?> 電源電壓，完全導(dǎo)通，PMOS管相反； 7.未完全導(dǎo)通且壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗大，壓降增大，UI也增大，損耗增加因此發(fā)熱；

電路從一個(gè)位置接通和從另一個(gè)位置關(guān)掉負(fù)載，任何數(shù)量瞬間N / O開關(guān)或按鈕可并行連接。 左側(cè)組合：10K，10uF，二極管，確保電路接通電源，保持負(fù)載斷開狀態(tài)。 初始加電狀態(tài)沒有問題，此組件可省略； 按下開關(guān)：1uF電容連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn)，NPN晶體管截止，場效應(yīng)管導(dǎo)通并開啟負(fù)載。 釋放按鈕：1uF電容通過1M電阻充電； 第二次按下開關(guān)：1uF電容充電后，電壓加載到NPN晶體管基極，晶體管導(dǎo)通，場效應(yīng)管關(guān)閉，負(fù)載斷電；

隧穿場效應(yīng)晶體管 英文全稱：Tunneling Field-Effect Transistor?簡稱TFET 原理：帶間隧穿Band-to-band tunneling??簡稱BTBT BTBT是在1934年Zener提出，pn結(jié)在反偏狀態(tài)下，n區(qū)導(dǎo)帶中未被電子占用空能態(tài)與p區(qū)價(jià)帶中被電子占用能態(tài)有相同能量，勢壘區(qū)窄時(shí)，電子從p區(qū)價(jià)帶隧穿到n區(qū)導(dǎo)帶； 如下圖所示： 雙柵結(jié)構(gòu)Si 隧穿場效應(yīng)晶體管 是一個(gè)p+-i-n+結(jié)構(gòu) Tox=柵介質(zhì)厚度 Tsi=體硅厚度 i區(qū)上方：柵介質(zhì)和柵電極 通過柵極電壓變化調(diào)制i區(qū)能帶控制電子元器件電流；

MOS場效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路,V1=V2=5V? Q1、Q4導(dǎo)通，Q2截止； VCC?→?D2?→?Q4→?D1→?R4→?Q3柵極，導(dǎo)通； Q6、Q7截止，Q8導(dǎo)通，提供Q5柵極放電回路，Q5截止； V1=V2=0V Q1、Q4截止，Q2導(dǎo)通，提供Q3柵極放電回路放電； 電流→?Q2?→?Q5→?接地； Q6、Q7導(dǎo)通，Q8截止； VCC→?Q7→?電阻R1→?Q5柵極，導(dǎo)通； 實(shí)際：V1與V2保持同相可避免上下管同時(shí)導(dǎo)通；

智能SIPMOS技術(shù)中的N溝道垂直功率FET 完全由嵌入式保護(hù)功能保護(hù)。 功能概述 1.邏輯電平輸入 2.保護(hù)（ESD） 3.自動(dòng)重啟熱關(guān)機(jī) 4.綠色產(chǎn)品（符合RoHS） 5.過載保護(hù) 6.短路保護(hù) 7.過壓保護(hù) 8.電流限制 9.可進(jìn)行模擬驅(qū)動(dòng) 潛在應(yīng)用 雙通道汽車保護(hù)繼電器驅(qū)動(dòng)器

N溝道增強(qiáng)型MOSFET特性曲線 分：輸出特性+轉(zhuǎn)移特性 輸出特性：可變電阻區(qū)+放大區(qū)(飽和區(qū))+擊穿區(qū)+截止區(qū) 轉(zhuǎn)移特性 UDS=常數(shù) 從輸出特性曲線上用作圖法求出 UGs=0 無導(dǎo)電溝道 UGs≥UGs(th)?出現(xiàn)導(dǎo)電溝道 UGs>UGs(th)??UDs小 ?iD迅速增大 UGs>UGs(th)???UDs大 iD 趨于飽和 增強(qiáng)型MOSFET轉(zhuǎn)移特性 以UDS為參變量，漏極電流iD 隨柵源電壓UGs變化的關(guān)系曲線 漏極電流iD 近似表達(dá)式為 當(dāng)UGs>UGs(th)??IDO 是UGs=2UGs(th)?漏極電流?iD