N溝道增強(qiáng)型MOSFET結(jié)構(gòu)圖及符號(hào)如下所示：

 

Ucs對(duì)i控制作用

UGs=0    沒(méi)有N型導(dǎo)電溝道

UGs≥UGs(th)  出現(xiàn)N溝道

可通過(guò)UGs控制N型溝道的厚度，

此時(shí)在UDS作用，產(chǎn)生漏極電流iD  

UGs越大導(dǎo)電溝道越厚, 溝道電阻值越小，在UDS作用，開(kāi)始導(dǎo)電UGs成為開(kāi)啟電壓， 用UGs(th)表示。

因場(chǎng)效應(yīng)管在UGs≥UGs(th) 時(shí)，形成導(dǎo)電溝道，也稱(chēng)之為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。

 

UDS對(duì)i的影響

UGs≥UGs(th) 導(dǎo)電溝道形成， 此時(shí)外加漏源電壓UDS將產(chǎn)生漏極電流iD 

UDS較小， iD隨UDS增大而迅速增大。

UDS增加到UDS=UGs-UGs(th)，靠近漏極端溝道厚度=0，出現(xiàn)預(yù)夾斷。

若UDS繼續(xù)增大，使UDS>(UGs-UGs(th) ) 導(dǎo)電溝道的夾斷點(diǎn)向源極方向移動(dòng)，夾斷區(qū)域向源極方向延伸，溝道電阻增大，電流iD趨于飽和，基本不隨UDS的變化而變化， 僅取決于UGs

 

N溝道增強(qiáng)型MOSFET特性曲線

分：輸出特性+轉(zhuǎn)移特性

輸出特性：可變電阻區(qū)+放大區(qū)(飽和區(qū))+擊穿區(qū)+截止區(qū)

轉(zhuǎn)移特性

UDS=常數(shù)

從輸出特性曲線上用作圖法求出

UGs=0 無(wú)導(dǎo)電溝道

UGs≥UGs(th) 出現(xiàn)導(dǎo)電溝道

UGs>UGs(th)  UDs小  iD迅速增大

UGs>UGs(th)   UDs大 iD 趨于飽和

 

增強(qiáng)型MOSFET轉(zhuǎn)移特性

以UDS為參變量，漏極電流iD 隨柵源電壓UGs變化的關(guān)系曲線

漏極電流iD 近似表達(dá)式為

當(dāng)UGs>UGs(th)  IDO 是UGs=2UGs(th) 漏極電流 iD

公式如下