絕緣柵型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)如下圖所示：

絕緣柵型場效應(yīng)管：增強(qiáng)型+耗盡型

 

 

與結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)區(qū)別：

柵極從Si02引出，與源極和漏極是絕緣的。

 

絕緣柵型場效應(yīng)管特點(diǎn)：

1.輸入電阻高，1 * 10  12Ω以上；

2.輸入電流幾乎為零；

 

分類：

N 溝道+P 溝道

N 溝道分類：增強(qiáng)型+耗盡型

P 溝道分類:增強(qiáng)型+耗盡型

如上圖所示：

圖a與圖b結(jié)構(gòu)都是在P型材料基層上擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N 區(qū)，引出源極和漏極。

UGS = 0 漏源極存在導(dǎo)電溝道，即耗盡型絕緣柵型場效應(yīng)管MOS管;

I UGS l > o 形成導(dǎo)電溝道，即增強(qiáng)型絕緣柵型場效應(yīng)管MOS管；

 

如上圖所示：

從材料底基片引出襯底B極

B極在分立電子元器件中，把它與源、極S 相連；

 

絕緣柵型場效應(yīng)管MOS管四種類型的符號(hào)如下圖所示：