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設(shè)計應(yīng)用

英飛凌BSZ086P03NS3 G功能應(yīng)用參數(shù)-mos場效應(yīng)管-竟業(yè)電子

時間:2020/9/28閱讀:4274 關(guān)鍵詞:

英飛凌Infineon的高度創(chuàng)新OptiMOS™ 家庭包括p通道電源MOSFET。這些產(chǎn)品始終滿足電力系統(tǒng)設(shè)計關(guān)鍵規(guī)范(如狀態(tài)電阻和性能特征圖)中最高質(zhì)量和性能要求。

 

英飛凌mos場效應(yīng)管BSZ086P03NS3 G功能概述

1.增強(qiáng)模式

2.正常電平、邏輯電平或超級邏輯電平

3.雪崩額定值

4.無鉛電鍍;符合RoHS

潛在應(yīng)用

1.消費(fèi)者

2.直流-直流

3.易感性

4.電機(jī)控制

5.筆記本電腦

6.車載充電器

 

英飛凌mos場效應(yīng)管BSZ086P03NS3 G參數(shù)