Vishay推出MOS管SiSF20DN-共漏極雙N溝道60 V，它是采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK®1212-8SCD封裝。

SiSF20DN的RS-S(ON) 60 V，是業(yè)內(nèi)最低的共漏極元器件，可提高相關(guān)電子元器件的功率密度和效率，如:電池管理系統(tǒng)，直插式，無線充電器，DC/DC轉(zhuǎn)換器,電源等。

 

雙片MOS管在10V電壓以下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60 V電子元器件，降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率，它的面積乘積低于排名第二的替代MOS管 46.6 %，也提高了功率密度。

SiSF20DN設(shè)計(jì)簡(jiǎn)約減少元件數(shù)量， 采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，節(jié)省了PCB空間，兩個(gè)單片集成TrenchFET® 第四代n溝道MOS管采用共漏極配置。

SiSF20DN的源極觸點(diǎn)是并排列出，這樣使PCB接觸面積提高，并減小電阻率；

此種設(shè)計(jì)方式讓MOS管非常適用在24 V系統(tǒng)或者是工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān)，如：電動(dòng)工具，機(jī)器人，工廠自動(dòng)化，安防/監(jiān)視和煙霧報(bào)警器，無人機(jī)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，白色家電。