英飛凌通過應(yīng)對現(xiàn)代電源管理設(shè)計的挑戰(zhàn)，專注于系統(tǒng)創(chuàng)新和組件級增強。源頭在于新的行業(yè)標準包裝理念。在這個新的封裝中推出的第一波功率MOS管是PQFN 3.3x3.3mm中的OptiMOS TM 25v。

 

該電子元器件在MOS管性能方面樹立了一個新的行業(yè)基準，降低了狀態(tài)電阻（R DS（on））并為市場提供了優(yōu)越的熱管理能力。該產(chǎn)品非常適合廣泛的應(yīng)用，如驅(qū)動器、SMPS（包括服務(wù)器、電信和/或ing）和電池管理。

 

新的封裝概念將源電勢（而不是漏電勢）連接到熱墊。除了啟用新的PCB布局可能性，這有助于實現(xiàn)更高的功率密度和性能。

 

發(fā)布了兩個不同的封裝版本：PQFN 3.3x3.3mm封裝中的源下標準門和源下中心門。源下位標準柵極封裝基于當前的PQFN 3.3x3.3 mm引腳配置。

 

電氣連接的位置保持不變，簡化了用新的電源下降包替換當今標準的下降包的過程。對于中心柵極版本，柵極引腳移動到中心，以支持多個MOS管的簡單并行配置。

 

由于其較大的漏源爬電距離，可以在一個PCB層上連接多個器件的柵極。此外，將柵極連接移動到中心會導(dǎo)致更寬的源區(qū)，以改進設(shè)備的電氣連接

 

這項技術(shù)革新使研發(fā)投入比現(xiàn)有技術(shù)大幅度減少30%。與目前的PQFN封裝相比，結(jié)-殼之間的熱阻（R-thJC）也有了顯著的提高。減少寄生，提高印刷電路板的損耗，以及優(yōu)越的熱性能，增加了任何當代工程設(shè)計的重要價值。