英飛凌提供硅（Si）、碳化硅（SiC）和GaN。

從微安到兆瓦的高能效解決方案，高度可靠的IGBTs、功率mosfet、GaN電子模式HEMTs、功率分立器件、保護(hù)開(kāi)關(guān)、Si驅(qū)動(dòng)器、GaN驅(qū)動(dòng)器、IGBT模塊、智能功率模塊（IPMs）、線性調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制解決方案、LED驅(qū)動(dòng)器以及所有形式的AC-DC、DC-DC和數(shù)字功率轉(zhuǎn)換。

 

亮點(diǎn)

 

 

MOSFETs

 

英飛凌的MOSFET產(chǎn)品組合提供汽車(chē)MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET。

 

OptiMOS™汽車(chē)應(yīng)用結(jié)合了領(lǐng)先的MOSFET技術(shù)和強(qiáng)大的封裝，以提供一流的性能和卓越的電流容量。在電力應(yīng)用中，OptiMOS™20V-250V始終在電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵規(guī)范中設(shè)定基準(zhǔn)，包括領(lǐng)先的狀態(tài)電阻和性能指標(biāo)。

 

革命性的CoolMOS™功率系列500V-900V在能效領(lǐng)域樹(shù)立了新的標(biāo)準(zhǔn)，并顯著降低了傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，使卓越的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)具有更高的功率密度和效率

 

IGBTs

 

英飛凌提供全面的技術(shù)組合領(lǐng)先的IGBT裸模，離散，模塊，甚至完整的堆棧。這使在工業(yè)應(yīng)用提供可靠和高效的解決方案，如通用逆變器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS、焊接、感應(yīng)加熱和SMPS系統(tǒng)。建議將igbt應(yīng)用于諸如電飯煲、微波爐和感應(yīng)烹飪爐甚至空調(diào)系統(tǒng)等消費(fèi)者應(yīng)用中。離散式汽車(chē)igbt和模塊也可用于壓電注入、HID照明、泵和小型驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用。

 

碳化硅（SiC）

 

與常用硅相比，碳化硅器件為高壓功率半導(dǎo)體提供了許多吸引人的特性。英飛凌的CoolSiC™肖特基二極管從600伏到1200伏不等，可提高服務(wù)器、電信太陽(yáng)能、照明、消費(fèi)者、PC電源和AC/DC等應(yīng)用的效率和解決方案成本。革命性的CoolSiC™1200 V SiC JFET系列，結(jié)合提議的直接驅(qū)動(dòng)技術(shù)，代表了英飛凌的領(lǐng)先解決方案，將實(shí)際設(shè)計(jì)推向了新的、迄今無(wú)法達(dá)到的效率水平。也可提供：高效率的IGBT功率模塊與碳化硅飛輪二極管。

 

 

氮化鎵（GaN）

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙（WBG）材料，允許器件在比硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料更高的頻率和溫度下工作。英飛凌的CoolGaN™氮化鎵解決方案基于市場(chǎng)上最強(qiáng)大、性能最好的概念——增強(qiáng)模式（e模式）概念，提供快速的開(kāi)啟和關(guān)閉速度。CoolGaN™HEMTs提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出標(biāo)準(zhǔn)的最高質(zhì)量和可靠性，并在服務(wù)器、電信、無(wú)線充電、適配器和充電器以及音頻等多個(gè)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了性能改進(jìn)。

 

 

大功率晶閘管和二極管

適用于電力驅(qū)動(dòng)、電壓軟起動(dòng)器、通用電源、甚至復(fù)雜的能量傳輸系統(tǒng)等大功率應(yīng)用的壓包或模塊外殼中的堅(jiān)固高效的晶閘管和二極管。

 

門(mén)驅(qū)動(dòng)器

 

低壓和高壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)集成電路和電路板解決方案，為igbt和mosfet提供可靠和高效的控制。英飛凌公司的DC-DC低壓門(mén)極驅(qū)動(dòng)器是用于計(jì)算和電信負(fù)載點(diǎn)等應(yīng)用的雙功率mosfet的高速驅(qū)動(dòng)器，可根據(jù)設(shè)計(jì)人員的條件和需求調(diào)整系統(tǒng)的效率。也請(qǐng)找到我們的高性能隔離柵驅(qū)動(dòng)芯片和電路板（EiceDRIVER™），用于CoolMOS™mosfet和IGBT分立器件，甚至用于大多數(shù)工業(yè)應(yīng)用的模塊。

 

 

集成功率級(jí)

該產(chǎn)品提供具有最高效率和功率密度的功率級(jí)解決方案，如DRMO和DrBlade。隨著DrBlade英飛凌提供了一個(gè)新的超緊湊集成MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)器，基于革命性的刀片芯片嵌入技術(shù)。