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時(shí)間:2019/10/31閱讀:1451 關(guān)鍵詞:MOSFET
英飛凌的n通道和p通道功率mosfet設(shè)計(jì)方式獨(dú)特;
需要高電壓阻斷能力和低損耗快速開關(guān)的AC-DC應(yīng)用利用革命性的Coolmos™超級(jí)結(jié)技術(shù),提供更高效的電源。
DC-DC應(yīng)用可根據(jù)其對(duì)低損耗極快速開關(guān)或在中等頻率下更穩(wěn)健開關(guān)的需求進(jìn)行分類。optimos™功率mosfet技術(shù)在100khz以上的電源應(yīng)用中的超低開關(guān)損耗,以及在需要高雪崩保護(hù)(如電機(jī)控制)的應(yīng)用中的高可靠性strongirfet™使設(shè)計(jì)者受益匪淺。
需要最高質(zhì)量和增強(qiáng)保護(hù)功能的設(shè)計(jì)得益于英飛凌汽車認(rèn)證的N通道和P通道mosfet,它們超越了aec-q101行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),提供了行業(yè)中最可靠的mosfet。
英飛凌的全系列n通道和p通道功率mosfet和系統(tǒng)使您的應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新和性能,包括開關(guān)模式電源(smps)、計(jì)算、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)者、移動(dòng)設(shè)備、照明解決方案、汽車等。
工業(yè)功率mosfet(20v-300v)和強(qiáng)irfet系列
英飛凌高度創(chuàng)新的Optimos和StrongIRFET系列始終滿足電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵規(guī)范中的最高質(zhì)量和性能要求,如導(dǎo)通電阻和優(yōu)值特性。英飛凌是發(fā)電(如太陽(yáng)能微型逆變器)、電源(如服務(wù)器和電信)和功耗(如電動(dòng)汽車)高效解決方案的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。
1.通過減少多相轉(zhuǎn)換器中的相數(shù),節(jié)省總體系統(tǒng)成本
2.降低功率損耗,提高所有負(fù)載條件下的效率
3.使用最小的封裝(如DirectFET™或系統(tǒng)內(nèi)封裝解決方案)節(jié)省空間
4.最小化系統(tǒng)中的電磁干擾,使外部緩沖網(wǎng)絡(luò)過時(shí),產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)
工業(yè)功率mosfets 500v-950v-coolmos™系列
使用Coolmos™的AC-DC應(yīng)用程序利用英飛凌開發(fā)的超級(jí)結(jié)原理,從每R D(開)的最低損耗中獲益。這創(chuàng)造了比以往任何時(shí)候都更高效、更緊湊、更涼爽的電源。Coolmos™有多種技術(shù)可用于特定的拓?fù)浜蛻?yīng)用。
汽車功率mosfets 20v-600v-optimos™系列
英飛凌Optimos™結(jié)合了領(lǐng)先的mosfet技術(shù)和強(qiáng)大的封裝,提供一流的性能和卓越的電流容量。汽車合格的mosfet封裝現(xiàn)在有更高的電流容量,感謝我們的powerbond技術(shù)。
1.一流的R DS(開)性能,提高系統(tǒng)效率
2.市場(chǎng)上最大電流dpak和d 2pak,以減小ecu模塊尺寸
3.最低的開關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗,提高熱系統(tǒng)可靠性
4.堅(jiān)固的綠色包裝,便于工藝處理