英飛凌科技股份有限公司進(jìn)入1200 V CoolSiC™mos管器件綜合產(chǎn)品組合的大批量生產(chǎn)。它們的額定值從30 mΩ到350 mΩ，并安裝在TO247-3和TO247-4殼體中。擴(kuò)展包括一個表面貼裝器件（SMD）組合和一個650V的Coolsic mos管產(chǎn)品系列，這兩個系列都將很快推出。通過這些產(chǎn)品，英飛凌解決了在電源轉(zhuǎn)換方案中對節(jié)能碳化硅解決方案的快速增長需求，如電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲能解決方案、光伏逆變器、不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動器以及服務(wù)器和電信交換模式電源（SMPS）。

 

“在英飛凌，新的基礎(chǔ)技術(shù)的推出需要嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，”英飛凌工業(yè)動力控制部門總裁彼得·沃爾說。“大批量生產(chǎn)的生產(chǎn)流程必須得到證明，即使是在組裝獨(dú)立的外殼時，也必須對前端和后端進(jìn)行驗(yàn)證。這包括統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的收集、生產(chǎn)監(jiān)控和超出標(biāo)準(zhǔn)化程序的應(yīng)用相關(guān)測試。在碳化硅（SiC）mos管基片技術(shù)的生產(chǎn)坡道安全完成后，我們現(xiàn)在正在向市場推出最全面的工業(yè)應(yīng)用分立SiC產(chǎn)品組合”。

 

至于所有先前推出的to247和easy功率模塊封裝coolsic mosfet引線產(chǎn)品，新的分立器件建立在領(lǐng)先的溝道sicmosfet半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)上。該工藝的開發(fā)既考慮了應(yīng)用中的最低損耗，又考慮了運(yùn)行中的最高可靠性。此外，根據(jù)相關(guān)的應(yīng)用概況，采用門源工作電壓作為離散封裝方案。一個低動態(tài)損耗的基準(zhǔn)可以通過一個簡單的單極柵極驅(qū)動方案實(shí)現(xiàn)最高的效率。

 

coolsic溝道技術(shù)具有高閾值電壓額定值（v th），大于4v，結(jié)合低米勒電容。因此，與市場上其他SiC mos管相比，CoolSiC mos管具有同類產(chǎn)品中最好的抗寄生開啟效應(yīng)。連同一個18 V的導(dǎo)通柵源電壓與5 V裕度到最大額定電壓+23 V，新的英飛凌SiC離散mos管提供優(yōu)于硅（Si）IGBT，超結(jié)mos管，以及超過其他SiC mos管的最高水平。

 

包括一個堅(jiān)固的體二極管額定為硬換流，coolsic mos管組合給工程師一個途徑，以最高的能源效率，使“更多的少”。SiC材料中的mos管功能在功率因數(shù)校正（PFC）電路、雙向拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和任何硬、軟開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器中提供了新的系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。

 

英飛凌通過一系列精選的驅(qū)動芯片產(chǎn)品完成了其獨(dú)立產(chǎn)品，滿足了超高速SiC mos管開關(guān)特性帶來的需求。coolsic mos管和eicedriver™門驅(qū)動器集成電路共同利用了該技術(shù)的優(yōu)勢：提高了效率、節(jié)省了空間和重量、減少了部件數(shù)量、提高了系統(tǒng)可靠性?？傊?，這為降低系統(tǒng)成本、降低運(yùn)營成本和總擁有成本提供了可能性，使新的解決方案能夠應(yīng)用于能源智能世界。