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電子元器件百科

  • NMOS管導(dǎo)通特性-PMOS管導(dǎo)通特性-竟業(yè)電子
    NMOS管導(dǎo)通特性-PMOS管導(dǎo)通特性-竟業(yè)電子
    NMOS管導(dǎo)通特性: Vgs??> 一定值,?導(dǎo)通; 應(yīng)用:源極S接地,低端驅(qū)動(dòng),柵極電壓=4V或10V;? 實(shí)際應(yīng)用:柵極電壓?> 4V或10V,才可完全導(dǎo)通; PMOS管導(dǎo)通特性: Vgs?< 一定值,導(dǎo)通; 應(yīng)用:源極接VCC,高端驅(qū)動(dòng);? 缺點(diǎn):導(dǎo)通電阻大,成本高; NMOS與PMOS開關(guān)管損耗 導(dǎo)通后有導(dǎo)通電阻,電流在此電阻耗量,即導(dǎo)通損耗; 應(yīng)用選擇時(shí),選擇導(dǎo)通電阻小MOS管來減小導(dǎo)通損耗;? 導(dǎo)通和截止,并不是在瞬間完成, MOS管兩端電壓有下降,電流上升過程,出現(xiàn)開關(guān)損耗=電壓與電流乘積; 開關(guān)頻率越高,損耗越大; 減小開關(guān)損耗: 1.縮短開關(guān)時(shí)間:減小每次導(dǎo)通時(shí)損耗; 2.降低開關(guān)頻率:減小單位時(shí)間內(nèi)開關(guān)次數(shù);

    時(shí)間:2020/8/25 關(guān)鍵詞:MOS管

  • NMOS驅(qū)動(dòng)電路分析-mos管知識(shí)-竟業(yè)電子
    NMOS驅(qū)動(dòng)電路分析-mos管知識(shí)-竟業(yè)電子
    低壓應(yīng)用+寬電壓應(yīng)用+雙電壓應(yīng)用 低壓應(yīng)用:5V電源,用傳統(tǒng)圖騰柱結(jié)構(gòu),因三極管be?0.7V壓降,因此實(shí)際加gate上電壓4.3V。若選gate電壓4.5V?MOS管會(huì)有風(fēng)險(xiǎn); 寬電壓應(yīng)用:輸入電壓不是固定值,隨時(shí)間或其它因素而變化。 此變化導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管驅(qū)動(dòng)電壓不穩(wěn)定; 雙電壓應(yīng)用:控制電路,邏輯部分使用5V或3.3V數(shù)字電壓,功率部分使用≥12V電壓。 兩個(gè)電壓用共地方式連接。

    時(shí)間:2020/8/24 關(guān)鍵詞:mos管

  • 大功率mos管驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)及構(gòu)成原理-MOS管知識(shí)-竟業(yè)電子
    大功率mos管驅(qū)動(dòng)芯片結(jié)構(gòu)及構(gòu)成原理-MOS管知識(shí)-竟業(yè)電子
    一塊摻雜濃度較低P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。 在漏極與源極間P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄二氧化硅(Si02)絕緣層膜,在絕緣層膜上裝一個(gè)鋁電極,為柵極G。 以此構(gòu)成N溝道(NPN型)增強(qiáng)型MOS管。 柵極與電極間絕緣。 A=結(jié)構(gòu)圖 B=符號(hào)

    時(shí)間:2020/8/21 關(guān)鍵詞:mos管

  • 英飛凌BSC054N04NS G參數(shù)應(yīng)用-mos管場效應(yīng)管-竟業(yè)電子
    英飛凌BSC054N04NS G參數(shù)應(yīng)用-mos管場效應(yīng)管-竟業(yè)電子
    OptiMOS??40V是開關(guān)電源(SMP)中同步整流的理想選擇,例如服務(wù)器和臺(tái)式機(jī)中的SMP。此外,這些器件可用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用,包括電機(jī)控制和快速開關(guān)DC-DC變換器。 英飛凌mos管場效應(yīng)管BSC054N04NS G功能概述 1.出色的門極充電x R DS(on)產(chǎn)品(FOM) 2.極低導(dǎo)通電阻Rds(on) 3.適用于快速切換應(yīng)用 4.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)-無鹵素 5.MSL1額定值 優(yōu)勢 1.最高的系統(tǒng)效率 2.不需要并聯(lián) 3.功率密度增加 4.降低系統(tǒng)成本 5.極低電壓過沖

    時(shí)間:2020/8/20 關(guān)鍵詞:mos管場效應(yīng)管

  • 場效應(yīng)管崩潰效應(yīng)在電源應(yīng)用分析-場效應(yīng)管知識(shí)-竟業(yè)電子
    場效應(yīng)管崩潰效應(yīng)在電源應(yīng)用分析-場效應(yīng)管知識(shí)-竟業(yè)電子
    評(píng)估場效應(yīng)管崩潰效應(yīng)以單一脈沖基準(zhǔn) 單一脈沖 UIS安全工作范圍 UIS全稱:Unclamped InducTIve Switching 先定義針對被測試組件基本參數(shù) 崩潰時(shí)間內(nèi)所流經(jīng)場效管最大峰值電流 IAS UIS 開始前起始接合面溫度 Tj 崩潰時(shí)所經(jīng)過的時(shí)間 tAV IAS 、tAV 對應(yīng)出來圖表曲線可了解此組件針對 UIS 表現(xiàn)能力 , 提供客觀公正衡量依據(jù)。

    時(shí)間:2020/8/19 關(guān)鍵詞:場效應(yīng)管

  • 英飛凌BSC052N08NS5參數(shù)應(yīng)用-mos管場效應(yīng)管-竟業(yè)電子
    英飛凌BSC052N08NS5參數(shù)應(yīng)用-mos管場效應(yīng)管-竟業(yè)電子
    英飛凌mos管場效應(yīng)管BSC052N08NS5功能概述 1.優(yōu)化同步整流 2.適用于高開關(guān)頻率 3.輸出電容減少高達(dá)44% 3.R DS(on)減少高達(dá)44% 優(yōu)勢 1.最高的系統(tǒng)效率 2.降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗 3.不需要并聯(lián) 4.功率密度增加 5.低電壓過沖 應(yīng)用 1.電信 2.服務(wù)器 3.太陽能 4.低壓驅(qū)動(dòng)器 5.輕型電動(dòng)汽車 6.適配器

    時(shí)間:2020/8/18 關(guān)鍵詞:mos管場效應(yīng)管

  • MCT基本結(jié)構(gòu)及工作特性-MCT與MOS場效應(yīng)管關(guān)系-竟業(yè)電子
    MCT基本結(jié)構(gòu)及工作特性-MCT與MOS場效應(yīng)管關(guān)系-竟業(yè)電子
    MCT是一種新型MOS/雙極復(fù)合電子元器件; 即在普通晶閘管中用集成電路工藝制作大量MOS開關(guān),通過MOS開關(guān)的通與斷來控制晶閘管開與關(guān);?MCT基本結(jié)構(gòu) 分類:P型+N型+對稱/不對稱關(guān)斷+單端/雙端關(guān)斷場效應(yīng)管門極控制+不同導(dǎo)通選擇 以上類別共同點(diǎn):通過關(guān)斷場效應(yīng)管讓晶閘管發(fā)射極-基極結(jié)短路完成MCT關(guān)斷; P型不對稱關(guān)斷MOS門極的MCT

    時(shí)間:2020/8/14 關(guān)鍵詞:MOS場效應(yīng)管

  • 電壓反向開關(guān)及跳耦型MOS開關(guān)電容濾波器類型-竟業(yè)電子
    電壓反向開關(guān)及跳耦型MOS開關(guān)電容濾波器類型-竟業(yè)電子
    電壓反向開關(guān)型MOS開關(guān)電容濾波器 用LC濾波器為原型電路,用開關(guān)電容等效元件替換模擬元件。 電路工作要求:用“電壓反向開關(guān)”控制電容網(wǎng)絡(luò)中的電荷流動(dòng),使等效元件內(nèi)部開關(guān)動(dòng)作時(shí)元件所構(gòu)成的環(huán)路中沒有電荷流動(dòng)。 “電壓反向開關(guān)” 下圖a:用運(yùn)算放大器構(gòu)成的電壓跟隨器形式的電壓反向開關(guān); 下圖b:它電路符號(hào)。 工作過程: 開關(guān)K1閉合、K2打開:因電壓跟隨作用,uH=ua; uH=電容器CH電壓 Ua=輸入電壓 開關(guān)K1打開,K2閉合時(shí): 電容CH電壓反向加在運(yùn)算放大器輸入端。 因:運(yùn)算放大器虛短路,在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi),端口上電壓恰好反向。

    時(shí)間:2020/8/12 關(guān)鍵詞:MOS

  • MOS開關(guān)電容濾波器原理應(yīng)用設(shè)計(jì)及電路圖-竟業(yè)電子
    MOS開關(guān)電容濾波器原理應(yīng)用設(shè)計(jì)及電路圖-竟業(yè)電子
    開關(guān)電容濾波器的原理 電路兩節(jié)點(diǎn)間接有帶高速開關(guān)電容器,相當(dāng)于兩節(jié)點(diǎn)間連接一個(gè)電阻; 開關(guān)電容濾波器(SCF電路是采樣數(shù)據(jù)系統(tǒng),直接處理模擬連續(xù)信號(hào); 開關(guān)K置于左邊時(shí),信號(hào)電壓源u1向電容器C1充電; K倒向右邊時(shí),電容器C1向電壓源u2放電。 開關(guān)?> 信號(hào)頻率fc工作,C1在u1和u2兩個(gè)電壓節(jié)點(diǎn)間交替換接,

    時(shí)間:2020/8/11 關(guān)鍵詞:MOS

  • 場效應(yīng)管好壞電極-三極管三腳電極如何判斷-竟業(yè)電子
    場效應(yīng)管好壞電極-三極管三腳電極如何判斷-竟業(yè)電子
    MOS型場效應(yīng)管好與壞 用萬用表則好與壞 內(nèi)置有9V或15V電池 萬用表:R×10kΩ擋,把負(fù)表筆黑接?xùn)艠OG,正表筆紅接源極S。 給柵極,源極間充電,萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。 萬用表:R×1Ω擋,負(fù)表筆接漏極D,正筆接源極S,萬用表指示值=幾歐姆, 結(jié)果:場效應(yīng)管好 結(jié)型場效應(yīng)管電極如何判斷 萬用表:R×100檔, 紅表筆接一個(gè)腳管,黑表筆接另一個(gè)腳管,使第三腳空。 表針:輕微擺動(dòng),第三腳=柵極; 人體判斷:人體接近第三腳,表針:大幅度偏轉(zhuǎn),第三腳=柵極; 余二腳:分源極+漏極;

    時(shí)間:2020/8/7 關(guān)鍵詞:場效應(yīng)管三極管

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