MCT是一種新型MOS/雙極復(fù)合電子元器件；

即在普通晶閘管中用集成電路工藝制作大量MOS開關(guān)，通過MOS開關(guān)的通與斷來控制晶閘管開與關(guān)；

 

MCT特點:

1.阻斷和通態(tài)特性好；

2.輸入阻抗高；

3.驅(qū)動功率低；

4.開關(guān)速度快；

5.可自關(guān)斷和高壓MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通壓降大；

 

與IGBT相比MCT劣勢

工作頻率相同

1.關(guān)斷控制難度高； 

2.制作工藝復(fù)雜； 

 

 MCT基本結(jié)構(gòu)

分類：P型+N型+對稱/不對稱關(guān)斷+單端/雙端關(guān)斷場效應(yīng)管門極控制+不同導(dǎo)通選擇

以上類別共同點：通過關(guān)斷場效應(yīng)管讓晶閘管發(fā)射極－基極結(jié)短路完成MCT關(guān)斷；

P型不對稱關(guān)斷MOS門極的MCT

斷面圖如下：

 

此等效電路與普通晶閘管雙晶體管模型基本相同，但加入導(dǎo)通場效應(yīng)管和關(guān)斷場效應(yīng)管；

等效電路如下圖：

 

MCT的工作特性

MCT由等效電路組成；

等效電路=一個寬基區(qū)PNP晶體管+一個窄基區(qū)NPN晶體管+一個OFF場效應(yīng)管+ON場效應(yīng)管；

 

OFF場效應(yīng)管連接在PNP晶體管的基極和發(fā)射極間；

少量ON場效應(yīng)管連接在PNP晶體管集電極和發(fā)射極間；

兩個MOS場效應(yīng)管柵極連在一起形成MCT門極；

 

MCT門極相對于陰極施加正脈沖電壓：

ON場效應(yīng)管導(dǎo)通；

漏極電流使NPN晶體管導(dǎo)通；

NPN晶體管的集電極電流（空穴）PNP晶體管導(dǎo)通，

PNP晶體管集電極電流促使NPN晶體管的導(dǎo)通，

這樣正反饋，

讓MCT迅速由截止轉(zhuǎn)入導(dǎo)通，并處于擎住狀態(tài)。

 

當(dāng)門極相對于陰極加負(fù)脈沖電壓：

OFF場效應(yīng)管導(dǎo)通；

PNP晶體管基極－發(fā)射極被短路，PNP晶體管截止，

此時破壞晶體管擎住條件，MCT關(guān)斷。