MOS管驅(qū)動三個要求：

低壓應(yīng)用+寬電壓應(yīng)用+雙電壓應(yīng)用

低壓應(yīng)用：5V電源，用傳統(tǒng)圖騰柱結(jié)構(gòu)，因三極管be 0.7V壓降，因此實際加gate上電壓4.3V。若選gate電壓4.5V MOS管會有風(fēng)險；

寬電壓應(yīng)用：輸入電壓不是固定值，隨時間或其它因素而變化。

此變化導(dǎo)致PWM電路提供給MOS管驅(qū)動電壓不穩(wěn)定；

雙電壓應(yīng)用：控制電路，邏輯部分使用5V或3.3V數(shù)字電壓，功率部分使用≥12V電壓。

兩個電壓用共地方式連接。

 

以下圖是設(shè)計相對通用電路滿足以上需求

 

 

NMOS驅(qū)動電路分析

如上圖所示:

Vl=低端電源    Vh=高端電源     電壓可相同或Vl≤Vh

 

Q1+Q2組成反置圖騰柱

作用：實現(xiàn)隔離+保證Q3與Q4不同時導(dǎo)通；

 

R2與R3提供PWM電壓基準(zhǔn)

可改變此基準(zhǔn)，讓電路工作在PWM信號波形比較陡直位置。

 

Q3與Q4提供驅(qū)動電流

作用：導(dǎo)通時，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有Vce的壓降，此壓降只有0.3V，低于0.7V Vce。

R5=R6=反饋電阻

作用：對gate電壓采樣，電壓通過Q5對Q1和Q2基極產(chǎn)生一個強烈負反饋，把gate電壓限制在有限有限，此有限數(shù)值通過R5和R6調(diào)節(jié)；

 

R1提供對Q3和Q4基極電流限制

R4提供對MOS管gate電流限制，

即Q3和Q4的Ice的限制。

如有必要可在R4上并聯(lián)加速電容。

 

如上圖所示電路圖提供的特性是：

1.gate電壓峰值限制；

2.輸入和輸出電流限制；

3.PWM信號反相；

4.用低端電壓和PWM驅(qū)動高端MOS管；

5.通過使用合適的電阻，達到低功耗；

6.用小幅度PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求MOS管；