服務(wù)熱線
郵箱:postmasterr@jingyeic.com
3008038871
總部地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A座9H
時(shí)間:2021/1/14閱讀:2151 關(guān)鍵詞:MOS場(chǎng)效應(yīng)管
MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成:內(nèi)部由晶胞并聯(lián)
按單位面積計(jì)算或晶元面積越大,晶胞越多,導(dǎo)通電阻RDS)ON)越小;
單元G極和S極:是內(nèi)部金屬導(dǎo)體連接集成在晶元一個(gè)位置,導(dǎo)線引出管腳;
參考點(diǎn)在G極在晶元集成處,單元離此點(diǎn)越遠(yuǎn),G極等效串聯(lián)電阻越大;
晶胞單元有著不一致VGS電壓,因串聯(lián)等效柵極和源極電阻分壓作用而形成;
晶胞單元電流不一致:在MOS場(chǎng)效應(yīng)管開啟過程,因柵極電容的作用;
晶胞熱不平衡:在MOS場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)瞬態(tài)過程
MOS場(chǎng)效應(yīng)管等效模型
如下圖所示
導(dǎo)通過程,漏極電流ID漸漸上升,越接近柵極管腳晶胞單元電壓越大,流過電流也越大,溫度越高;
若:在離柵極管腳最遠(yuǎn)處,晶胞單元可能沒導(dǎo)通;