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時間:2021/1/4閱讀:5557 關(guān)鍵詞:MOS
VDMOS電容和寄生電容決定其開關(guān)特性;
VDMOS電容組成:柵源電容Cgs+柵漏電容Cgd+源漏電容Cds
如下圖所示
開關(guān)速度受電容充放電限制主因
柵源間電容組成
Cgs(N+)=柵源交疊電容
Cgs(M)=柵與源金屬間電容
Cgs(P)=柵與P-base間電容
表達(dá)公式為:
Cgs=Cgs(N+)+Cgs(P)+Cgs(M)
它們的大小由VDMOS本身設(shè)計參數(shù)及介質(zhì)層厚度決定;
Cgd由兩個電容串聯(lián)表達(dá)式
如下所示
1/Cgd=1/Cgd(ox)+1/Cgd(dep)
柵壓未達(dá)到閾值電壓,漂移區(qū)與P-base形成耗盡層結(jié)合,形成大面積耗盡層電容
其中一部份是Cgd(dep)柵下漂移區(qū)空間電荷耗盡區(qū)電容
此時,耗盡層寬度最大,耗盡電容最小;
柵極電壓=閾值電壓
電子元器件開啟,漏區(qū)電勢降低,耗盡層寬度減小,Cgd(dep)迅速增大;
漏源間電容Cds
它是一個PN結(jié)電容,元件源漏間所加電壓VDS決定其大小;
VDMOS:Cgs+Cgd+Cds
功率VDMOS電容性能參考評估用Ciss+Coss+Crss
定義三個的參數(shù)如下:
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd
輸出電容:Coss=Cds+Cgd
反饋電容:Crss=Cgd
以上并不是一個定值,隨其外部加元件本身電壓變化
td(on)=VDMOS開啟延遲時間
Tr=上升時間
td(off)=關(guān)斷延遲時間
Tf=下降時間
關(guān)系表達(dá)式如下
td(on)=C*issRgIn(I-Vth/Vgs)
Tr=C*issRgIn[Vgs-Vth]/[Vgs-vgs]
td(off)=C*issRgIn(Vth/vgs)
Tf=C*issRgIn(1-Vgs/Vth)
Rg=開關(guān)測試電路器件外接?xùn)烹娮?/span>
Vth=閾值電壓
Vgs=外加?xùn)旁措妷?/span>
Vgs=讓元件漏源電壓下降到外加值10%時柵源電壓
考慮密勒效應(yīng)C*iss=Cgs+(1+k)Cgd
由以上關(guān)系表達(dá)式,可以看出,輸入電容和開關(guān)時間由Cgd直接影響,
Cgd經(jīng)過密勒效應(yīng)讓輸入電容增大,因此讓元件上升時間tr和下降tf時間變大,柵漏電容Cgd減小;