MOS場效應(yīng)管雙峰效應(yīng)評估方法

如下a圖所示

N溝道MOS場效應(yīng)管Id-Vg測量曲線

 

MOS場效應(yīng)管

W=10 μm

L=0.18μm

 

測量條件

Vsource＝O  Vdrain＝0.1V  Vsub＝-1.8 V  Vg從0升至1.8 V；

實線是Id測量值，即可看到雙峰現(xiàn)象；

 

Vg區(qū)間小，測試電流值小且不準(zhǔn)確，Vg=O.5～1.OV即雙峰效應(yīng)評估區(qū)間；

 

如上b圖虛線是理想Id-Vg曲線

MOS場效應(yīng)管在高Vg線性區(qū)和飽和區(qū)測量值

用多項式近似曲線擬合法Polynomi-al Regression Fitting反向推導(dǎo)

 

如上圖中

實線測量值+虛線擬合值陰影：

即得出MOS場效應(yīng)管漏電程度

陰影面積：即雙峰效應(yīng)量化評估值；