MOS場效應(yīng)管關(guān)斷過程中Coss對開關(guān)影響

如下圖所示

此電路為在實際波形

電路分析

因Coss，開關(guān)過程中實際電壓及電流波形與理想波形有差異；

 

理想狀態(tài)

工程簡化式，VDS在t7內(nèi)線性地最小值上升至輸入電壓，t8內(nèi)電流線性地最大值降到0；

 

實際狀態(tài)

Coss影響，小部份電流流過Coss，大部分流過MOS場效應(yīng)管，Coss充電速度慢，VDS電流上升速率慢；

有Coss，關(guān)斷時，因電容電壓不能變，VDS電壓維持低電壓，即ZVS，0電壓關(guān)斷，功率損耗小；

 

開通中，因Coss，電容電壓不能變，VDS維持高電壓，功率損耗大；

 

理想狀態(tài)

工程簡化式，關(guān)斷與開通損耗相同，

實際狀態(tài)

關(guān)斷損耗 <開通損耗

Coss把大部分關(guān)斷損耗轉(zhuǎn)移到開通損耗，總開關(guān)功率損耗相同；

在DS極額外并聯(lián)大電容或Coss越大，關(guān)斷MOS場效應(yīng)管接近理想ZVS，關(guān)斷損耗越小，很多能量通過Coss轉(zhuǎn)移到開通損耗中。

MOS場效應(yīng)管開關(guān)整個周期工作在ZVS，因此利用電路特性和外部條件，實現(xiàn)開通過程ZVS;