MOS場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)斷過(guò)程中Coss對(duì)開(kāi)關(guān)影響

如下圖所示

此電路為在實(shí)際波形

電路分析

因Coss，開(kāi)關(guān)過(guò)程中實(shí)際電壓及電流波形與理想波形有差異；

 

理想狀態(tài)

工程簡(jiǎn)化式，VDS在t7內(nèi)線性地最小值上升至輸入電壓，t8內(nèi)電流線性地最大值降到0；

 

實(shí)際狀態(tài)

Coss影響，小部份電流流過(guò)Coss，大部分流過(guò)MOS場(chǎng)效應(yīng)管，Coss充電速度慢，VDS電流上升速率慢；

有Coss，關(guān)斷時(shí)，因電容電壓不能變，VDS電壓維持低電壓，即ZVS，0電壓關(guān)斷，功率損耗??；

 

開(kāi)通中，因Coss，電容電壓不能變，VDS維持高電壓，功率損耗大；

 

理想狀態(tài)

工程簡(jiǎn)化式，關(guān)斷與開(kāi)通損耗相同，

實(shí)際狀態(tài)

關(guān)斷損耗 <開(kāi)通損耗

Coss把大部分關(guān)斷損耗轉(zhuǎn)移到開(kāi)通損耗，總開(kāi)關(guān)功率損耗相同；

在DS極額外并聯(lián)大電容或Coss越大，關(guān)斷MOS場(chǎng)效應(yīng)管接近理想ZVS，關(guān)斷損耗越小，很多能量通過(guò)Coss轉(zhuǎn)移到開(kāi)通損耗中。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)整個(gè)周期工作在ZVS，因此利用電路特性和外部條件，實(shí)現(xiàn)開(kāi)通過(guò)程ZVS;