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時間:2021/1/11閱讀:2036 關(guān)鍵詞:MOS場效應(yīng)管
設(shè)定:傳統(tǒng)工藝,柵極頂部到外延層表面多晶硅去除量130 nm/230 nm/310 nm
MOS場效應(yīng)管電性能參數(shù)比較
如下圖所示
增加多晶硅去除量,即降低閾值開啟電壓,因此有效溝道的長度變短,源區(qū)離子經(jīng)過側(cè)壁注入溝道,源區(qū)結(jié)深在溝道表面變深;
漏源間漏電流即有區(qū)別
多晶硅去除量=310 nm
會增大部分區(qū)域漏電流,若減少多晶硅去除量,隨著它減少即慢慢消失,因此刻蝕工藝與MOS場效應(yīng)管性相關(guān)聯(lián);
如何解決它們的相關(guān)聯(lián)
即應(yīng)用突起式多晶硅技術(shù);
如下圖所示
用透射電子顯微鏡獲得突起式TMOS實(shí)際截面;
突起式多晶硅結(jié)構(gòu)與溝槽式接觸,N型TMOS單位元胞相鄰間距=1.4μm
單個芯片有源區(qū)面積=0.4 nm2,封裝:TSOP6
如下圖所示
擊穿電壓曲線
輸出特性曲線
漏端漏電流=250μA 擊穿電壓=24 V 滿足>20 V設(shè)計
柵極開啟電壓=4.5 v 工作電流=5 A,對應(yīng)導(dǎo)通電阻=23.75 mΩ
芯片有源區(qū)尺寸設(shè)計=0.4 mm2
Rdson·A=9.5 mΩ·mm2