MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成：內(nèi)部由晶胞并聯(lián)

按單位面積計(jì)算或晶元面積越大，晶胞越多，導(dǎo)通電阻RDS)ON)越小;

單元G極和S極：是內(nèi)部金屬導(dǎo)體連接集成在晶元一個(gè)位置，導(dǎo)線(xiàn)引出管腳；

參考點(diǎn)在G極在晶元集成處，單元離此點(diǎn)越遠(yuǎn)，G極等效串聯(lián)電阻越大；

 

晶胞單元有著不一致VGS電壓，因串聯(lián)等效柵極和源極電阻分壓作用而形成；

晶胞單元電流不一致：在MOS場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟過(guò)程，因柵極電容的作用；

晶胞熱不平衡：在MOS場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程

MOS場(chǎng)效應(yīng)管等效模型

如下圖所示

 

 

 導(dǎo)通過(guò)程，漏極電流ID漸漸上升，越接近柵極管腳晶胞單元電壓越大，流過(guò)電流也越大，溫度越高；

若：在離柵極管腳最遠(yuǎn)處，晶胞單元可能沒(méi)導(dǎo)通；