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英飛凌的40V和60V MOSFET產(chǎn)品系列不僅具有業(yè)界最低的RDS（on）特性，而且對(duì)于快速開關(guān)應(yīng)用來說，還具有完美的開關(guān)特性。通過先進(jìn)的薄晶片技術(shù)，與替代器件相比，RDS（on）和RDS（on）x Qg分別降低了15%和31%。 MOS管BSC010N04LS的功能概要 1.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化 2.比替代設(shè)備的RDS（on）低15% 3.與同類設(shè)備相比，F(xiàn)OM提高了31% 4.符合RoHS-無鹵素 5.MSL1級(jí) MOS管BSC010N04LS的優(yōu)勢(shì) 1.最高的系統(tǒng)效率 2.需要較少的并聯(lián)

OptiMOS? 是高效發(fā)電（如太陽能微型逆變器）、電源（如服務(wù)器和電信）和功耗（如電動(dòng)汽車）解決方案的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。 MOS管BSC057N08NS3 G的概要 1.DC-DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)化技術(shù) 2.出色的柵電荷x R DS（ON）產(chǎn)品（FOM） 3.卓越的耐熱性 4.雙面冷卻 5.低寄生電感 6.低剖面（<0,7mm） 7.N通道，正常電平

650V CoolMOS?CFD2的替代品是600V CoolMOS?CFD7 650V CoolMOS?CFD2是英飛凌第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的高電壓CoolMOS?mosfet，帶有集成快體二極管。CFD2裝置是600V CFD的后繼產(chǎn)品，提高了能效。較軟的換相行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的部分。 MOS管IPP65R190CFD的特征概要 1.650V技術(shù)，集成快速體二極管 2.硬換相期間的有限電壓超調(diào) 3.與600V CFD技術(shù)相比，Qg顯著降低

600V CoolMOS?C6替代600V CoolMOS?C3 650V CoolMOS?C6替代650V CoolMOS?C3 MOS管IPP60R190C6的特點(diǎn)概要 1.易于控制切換行為 2.由于非常低的價(jià)值（R D（開）*Q g和E oss）而造成的極低損失 3.很高的換相強(qiáng)度 4.易于使用 5.輕載效率高于C3 6.卓越的可靠性和久經(jīng)考驗(yàn)的CoolMOS?質(zhì)量，結(jié)合高體二極管堅(jiān)固性 7.與前幾代CoolMOS?相比，性價(jià)比更高

MOS管有FET和JFET兩種; 它分為增強(qiáng)型，耗盡型，P溝道，N溝道共4種類型； MOS管結(jié)構(gòu)： MOS管有三個(gè)引腳，漏極D，源極S及柵極G； mos管三個(gè)引腳順如何區(qū)分 PMOS?管測(cè)試方法 用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導(dǎo)通的兩腳，正極是漏極D，負(fù)極是源極S，另一個(gè)則是柵極G。 NMOS測(cè)試方法 用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導(dǎo)通的兩腳，正極是源極S，負(fù)極是漏極D，另一個(gè)則是柵極G。

替換600V CoolMOS?C3的是CoolMOS?P7 600V CoolMOS?C3是英飛凌2001年推出的第三系列CoolMOS?產(chǎn)品。C3是投資組合中的“主力軍”。 MOS管SPW20N60C3的特點(diǎn)概要 1.低比導(dǎo)通電阻（RDS（on）*A） 2.400V時(shí)輸出電容（Eoss）儲(chǔ)能非常低 3.低柵電荷（Qg） 4.經(jīng)現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的CoolMOS?質(zhì)量 5.自1998年起，英飛凌就開始生產(chǎn)CoolMOS?技術(shù) MOS管SPW20N60C3的優(yōu)勢(shì) 1.高效率和功率密度 2.卓越的成本/性能

150V OptiMOS?的R D（開）降低了40%，性能指標(biāo)（FOM）降低了45%。這種巨大的改進(jìn)帶來了新的可能性，比如從含鉛的軟件包轉(zhuǎn)移到SMD軟件包，或者用一個(gè)OptiMOS?部件有效地替換兩個(gè)舊部件。 MOS管BSC360N15NS3 G的功能概述 1.卓越的開關(guān)性能 2.世界最低研發(fā)水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵素 6.MSL1等級(jí)2

金屬氧化物半導(dǎo)體MOS)管可分為N溝道與P溝道兩大類： P溝道硅MOS管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極； 兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。

MOS管IPP075N15N3 G的功能概述 1.卓越的開關(guān)性能 2.世界最低研發(fā)水平（on） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的柵電荷x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵素 6.MSL1等級(jí)2 MOS管IPP075N15N3 G的優(yōu)勢(shì) 1.環(huán)保 2.提高效率 3.最高功率密度 4.需要較少的并聯(lián) 5.最小的板空間消耗 6.易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品 MOS管IPP075N15N3 G的應(yīng)用 1.交直流開關(guān)電源的同步整流 2.48V–80V系統(tǒng)（即家用車輛、電動(dòng)工具、卡車）的電機(jī)控制 3.隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器（電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)）

CoolMOS?C3的替代品是CoolMOS?P7 800V CoolMOS?C3是英飛凌的第三個(gè)CoolMOS?系列，2001年進(jìn)入市場(chǎng)，C3是組合中的“主力軍”。 Mos管SPW17N80C3的功能概述 1.低比導(dǎo)通電阻（RDS（on）*A） 2.400V時(shí)輸出電容（Eoss）儲(chǔ)能非常低 3.低柵電荷（Qg） 4.經(jīng)實(shí)踐驗(yàn)證的CoolMOS?質(zhì)量 5.自1998年起，英飛凌就開始生產(chǎn)CoolMOS?技術(shù)