MOS管有FET和JFET兩種;

它分為增強型，耗盡型，P溝道，N溝道共4種類型；

 

MOS管結構：

MOS管有三個引腳，漏極D，源極S及柵極G；

 

MOS管三個引腳順如何區(qū)分

PMOS 管測試方法

用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導通的兩腳，正極是漏極D，負極是源極S，另一個則是柵極G。

NMOS測試方法

用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導通的兩腳，正極是源極S，負極是漏極D，另一個則是柵極G。

 

MOS管的三個引腳順如何構成

 

在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的 N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。

在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。

這就構成了一個N溝道（NPN 型）增強型MOS管。

 

 

 

MOS管引腳意義

 

D,S,G全稱：

 

D：drain 漏極；S：source 源極；G：gate 柵極；

 

電路中的功能順序：

 

D電源接入，紅外信號從窗口輸入，電信號從S輸出，G接地；