金屬氧化物半導(dǎo)體MOS管可分為N溝道與P溝道兩大類：

P溝道硅MOS管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū)，分別叫做源極和漏極；

兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。

 

                                       MOS管三極圖

 

MOS管漏極和柵極如何測試

MOS管分PMOS管和NMOS管

PMOS 漏極測試

用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導(dǎo)通的兩腳，正極是D極，負極是S極，另一個則是G極。

 

NMOS漏極測試

用萬用表二極管檔量MOS管體二極管導(dǎo)通的兩腳，正極是S極，負極是D極，另一個則是G極。

 

MOS管柵極

如何測試：

用萬用表R×1檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為幾十Ω至數(shù)百Ω，測該兩腳分別是D極和S極，另一腳則G柵極。

或是這兩腳任選一腳，再把另一只表筆放在第三腳，電阻均呈無限大，則G柵極。

 

MOS管的作用：

MOS管一般被用于放大電路或開關(guān)電路。 在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOS管的作用是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。

開關(guān)作用電路圖如下：

 

電壓導(dǎo)通或是斷開電路圖如下：

由+1.5V_SUS產(chǎn)生+1.5V