選擇MOS管產(chǎn)品之前,首先要先了解什么是MOS管? MOS管的作用？才能更好的選擇。

什么是MOS管： MOS管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管。

MOS管分類： MOS管分為N溝道與P溝道兩大類即NMOS管和PMOS管；

什么是PMOS管：

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：P溝道硅MOS管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，源極和漏極，它們之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。 P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管：N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。

什么是NMOS管：

N溝道增強(qiáng)型MOS管：在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，有兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并且有金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別是漏極D和源極S，在漏——源極間的絕緣層上有一個(gè)鋁電極（通常是多晶硅），是柵極G。在襯底上有一個(gè)電極B。 由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

MOS管的作用：

MOS管一般被用于放大電路或開關(guān)電路。 在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOS管的作用是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。

以上是大概了解了MOS管，那么我們現(xiàn)在就是如何選擇正確的MOS管。

 

1.選擇PMOS管還是NMOS管 ：

首先要看選用的哪一種電子元器件方可進(jìn)一步選擇PMOS管還是NMOS管, 在選擇電子元器件之前，我們通常先確定驅(qū)動(dòng)器件的電壓，額定電壓越大，元器件的成本越高，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓，才能確保MOS管不失效。

為確保MOS管不失效，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。

注意：MOS管會(huì)因能承受的最大電壓會(huì)隨溫度變化而變化。

MOS管接地時(shí)，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選擇NMOS管，這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。

當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞MOS管。

PS:便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。

 

2.MOS管的額定電流選擇

MOS管的額定電流：是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流; MOS管的額定電流如何選擇，由電路結(jié)構(gòu)來(lái)決定。 除了額定電流選擇外，還有導(dǎo)通損耗的計(jì)算。 MOS管在導(dǎo)電過程中會(huì)有電能損耗，MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度變化而變化，電子元器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì)越??；反之RDS（ON）就會(huì)越高，

一般便攜式設(shè)計(jì)，會(huì)應(yīng)用較低的電壓，工業(yè)設(shè)計(jì)應(yīng)用，一般用較高的電壓

 

3.MOS管的開關(guān)性能選擇

影響MOS管開關(guān)性能最重要的參數(shù)是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容，因?yàn)槊看?開關(guān)時(shí)都要對(duì)它們進(jìn)行充電，因此MOS管的開關(guān)速度變慢，從而影響電子元器件的效率，

影響MOS管開關(guān)性能最大的是：柵極電荷（Qgd）;

PS：MOS管開關(guān)總功率方程 Psw=（Eon+Eoff）×開關(guān)頻率;

 

4.MOS管的散熱

一般在計(jì)算散熱要求時(shí)，要計(jì)算兩種情況：現(xiàn)實(shí)情況及最壞情況;，這樣才能確保MOS管不失效。 MOS管資料表上會(huì)有一些數(shù)據(jù)，那么需要注意的是：封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻和最大的結(jié)溫。

電子元器件的結(jié)溫計(jì)算方程式： 結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+（熱阻×功率耗散）