650V CoolMOS™CFD2的替代品是600V CoolMOS™CFD7

650V CoolMOS™CFD2是英飛凌第二代市場(chǎng)領(lǐng)先的高電壓CoolMOS™mosfet，帶有集成快體二極管。CFD2裝置是600V CFD的后繼產(chǎn)品，提高了能效。較軟的換相行為，因此更好的電磁干擾行為，使該產(chǎn)品明顯優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的部分。

 

MOS管IPP65R190CFD的特征概要

 

1.650V技術(shù)，集成快速體二極管

 

2.硬換相期間的有限電壓超調(diào)

 

3.與600V CFD技術(shù)相比，Qg顯著降低

 

4.較緊的RDS（開(kāi)）max到RDS（開(kāi)）typ窗口

 

5.易于設(shè)計(jì)

 

6.與600V CFD技術(shù)相比，價(jià)格更低

 

MOS管IPP65R190CFD的優(yōu)勢(shì)

 

1.由于重復(fù)換向體二極管的低Qrr而導(dǎo)致的低開(kāi)關(guān)損耗

 

2.自限di/dt和dv/dt

 

3.低生活質(zhì)量

 

4.減少開(kāi)啟和開(kāi)啟延遲時(shí)間

 

5.卓越的CoolMOS™質(zhì)量

 

MOS管IPP65R190CFD的應(yīng)用

 

1.電信

 

2.服務(wù)器

 

3.太陽(yáng)能

 

4.HID燈鎮(zhèn)流器

 

5.LED照明

 

6.電子移動(dòng)

 

MOS管IPP65R190CFD的參數(shù)