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低功耗，低功耗，低功耗? 25V是滿(mǎn)足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中電壓調(diào)節(jié)器解決方案要求的最佳選擇。擎天柱? 30V產(chǎn)品通過(guò)改善EMI行為以及延長(zhǎng)電池壽命來(lái)滿(mǎn)足筆記本電腦電源管理的需要。提供半橋配置（功率級(jí)5x6） 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管BSC030N03MS G功能概述 1.超低柵極和輸出電荷 2.小尺寸封裝中的導(dǎo)通狀態(tài)電阻最低 3.易于設(shè)計(jì) 優(yōu)勢(shì) 1.延長(zhǎng)電池壽命 2.改善EMI行為，使外部緩沖網(wǎng)絡(luò)過(guò)時(shí) 3.節(jié)約成本 4.節(jié)省空間 5.減少功率損耗

英飛凌的創(chuàng)新產(chǎn)品服務(wù)于整個(gè)能源供應(yīng)鏈的市場(chǎng)需求。OptiMOS? 是發(fā)電（如太陽(yáng)能微型逆變器）、電源（如服務(wù)器和電信）和功耗（如電動(dòng)汽車(chē)）的高效解決方案的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管BSC026N02KS G功能概述 1.用于快速開(kāi)關(guān)變換器和同步整流 2.根據(jù)JEDEC對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行鑒定 3.超邏輯電平2.5V額定值 4.出色的門(mén)極充電x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻Rds（on） 6.卓越的耐熱性 7.雪崩額定值 8.無(wú)鉛電鍍，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

理論：溝道“夾斷” 實(shí)際：夾斷點(diǎn)薄弱，夾斷點(diǎn)支撐它并不是原來(lái)P型區(qū)域，而是電壓升高吸引電子D極及其空間電荷區(qū)，因此電子沖入空間電荷區(qū)；飽和區(qū)：溝道“夾而不斷”D極溝道越來(lái)越窄，高速電子過(guò)來(lái)，擠過(guò)夾斷點(diǎn)進(jìn)入空間電荷區(qū)，D極正電場(chǎng)高速收集，D極電壓越高，夾斷點(diǎn)越后退，電子難穿過(guò)，飽和區(qū)電流不再隨電壓增大而線性增大。

OptiMOS? 25V產(chǎn)品系列，英飛凌infineon為分立功率MOSFET和封裝系統(tǒng)的功率密度和能效設(shè)定了新標(biāo)準(zhǔn)。超低的柵極和輸出電荷，再加上小尺寸封裝中最低的導(dǎo)通電阻，使得OptiMOS成為可能? 25V是滿(mǎn)足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中電壓調(diào)節(jié)器解決方案要求的最佳選擇。提供半橋配置（功率級(jí)5x6）。 英飛凌MOS管場(chǎng)效應(yīng)管BSC050NE2LS優(yōu)勢(shì) 1.通過(guò)減少多相轉(zhuǎn)換器中的相數(shù)，節(jié)省總體系統(tǒng)成本 2.降低功率損耗，提高所有負(fù)載條件下的效率 3.使用最小的軟件包（如CanPAK）節(jié)省空間?，S3O8或系統(tǒng)封裝解決方案 4.盡量減少系統(tǒng)中的電磁干擾，使外部緩沖網(wǎng)絡(luò)過(guò)時(shí)，產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)

ROHM優(yōu)勢(shì) 1.柵極驅(qū)動(dòng)器電路技術(shù)及封裝技術(shù)； 2.構(gòu)建變頻器所需電子元器件綜合可靠性; 3.支持大電流自產(chǎn)PrestoMOS，導(dǎo)通損耗降低，實(shí)現(xiàn)IPM化，減輕系統(tǒng)設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)； 4.低電流范圍損耗相比IGBT-IPM降低約43%，低功耗應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)節(jié)能；?

柵極電涌與靜電破壞 柵極-源極間有電壓浪涌或是靜電會(huì)引起損壞； 柵極過(guò)電壓損壞，通電中靜電：在G與S兩端及安裝，測(cè)定設(shè)備都帶電，導(dǎo)致柵極被損壞；內(nèi)置二極管被損壞 D極與S極兩端間形成寄生二極管運(yùn)行時(shí)，F(xiàn)lyback時(shí)MOS管寄生雙極晶體管運(yùn)行導(dǎo)致此二極管被損壞的模式。

超低的柵極和輸出電荷，加上小封裝中最低的導(dǎo)通電阻，使得OptiMOS? 25V是服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中對(duì)電壓調(diào)節(jié)器解決方案的苛刻要求的最佳選擇。OptiMOS? ?30V產(chǎn)品通過(guò)改善EMI行為和延長(zhǎng)電池壽命來(lái)適應(yīng)筆記本電腦電源管理的需要。提供半橋配置（功率級(jí)5x6）場(chǎng)效應(yīng)管MOS管BSC020N03LS G功能特征概要 1.超低柵極和輸出電荷 2.小封裝中的最低狀態(tài)電阻 3.易于設(shè)計(jì)

什么是反相器 反相器是可將輸入信號(hào)的相位反轉(zhuǎn)180度; 應(yīng)用：模擬電路，如：音頻放大，時(shí)鐘振蕩器; CMOS反相器電路由兩個(gè)增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管組成。 優(yōu)勢(shì)：互補(bǔ)結(jié)構(gòu); 應(yīng)用：數(shù)字電路設(shè)計(jì)中

引起發(fā)MOS管發(fā)熱的原因：過(guò)大電流導(dǎo)致發(fā)熱； MOS管發(fā)熱解決辦法如下： 1.MOS管的選擇：導(dǎo)通內(nèi)阻小，過(guò)大電流； 當(dāng)源極S與漏極D導(dǎo)通后，有導(dǎo)通電阻Rds（ON），此電阻值越大熱量越大，它一般從幾mΩ到幾百mΩ； 2.MOS管類(lèi)型選擇：NMOS或 PMOS 相同規(guī)格，內(nèi)阻值： NMOS??< ?PMOS???成本：NMOS??< ?PMOS?

mos管的GS波形振蕩消除解決方案 1.讓電阻R1值增加，R1≥2(L1/C1)^0.5，(選擇接近臨界阻值) 2.PCB走線寄生電感減?。? 3.在布局布線時(shí)，讓走線長(zhǎng)度(整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路長(zhǎng)度)越短越好+適當(dāng)增加R1值；