ROHM優(yōu)勢(shì)

1.柵極驅(qū)動(dòng)器電路技術(shù)及封裝技術(shù)；

2.構(gòu)建變頻器所需電子元器件綜合可靠性;

3.支持大電流自產(chǎn)PrestoMOS，導(dǎo)通損耗降低，實(shí)現(xiàn)IPM化，減輕系統(tǒng)設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)；

4.低電流范圍損耗相比IGBT-IPM降低約43%，低功耗應(yīng)用整體實(shí)現(xiàn)節(jié)能； 

 

ROHM特點(diǎn)

1.利用ROHM獨(dú)有電路技術(shù)柵極驅(qū)動(dòng)器LSI，實(shí)現(xiàn)IPM產(chǎn)品高效化；

如：導(dǎo)入防止高電壓下高速開關(guān)動(dòng)作易產(chǎn)生MOS管誤動(dòng)作電路，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)動(dòng)作，降低開關(guān)損耗+噪音，實(shí)現(xiàn)最大限度充分發(fā)揮PrestoMOS性能的柵極驅(qū)動(dòng)；

 

2. IPM化可減輕高效系統(tǒng)設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)

ROHM高散熱封裝技術(shù)，把搭建變頻器系統(tǒng)需要柵極驅(qū)動(dòng)器+組成變頻器部分MOS管一體化封裝；

3.支持電流PrestoMOS節(jié)能

MOS管在高速開關(guān)下+低電流時(shí)，導(dǎo)通損耗低，具有降低設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)功耗，可支持大電流MOS-IPM，讓設(shè)備在正常工作時(shí)更節(jié)能；

如：搭載重要保護(hù)功能+已優(yōu)化功率電子元器件驅(qū)動(dòng)；