MOS管作為開(kāi)關(guān)作用，G極決定S極到D極開(kāi)還是關(guān)；

MOS管分類(lèi)：N溝道MOS管(NMOS管)+P溝道MOS管（PMOS管）

如NMOS管如下圖所示：

綠色=N型富電子區(qū)域，黃色=P型富空穴區(qū)域

P型和N型交界處，一層耗盡層分隔或叫空間電荷區(qū)，

VT=開(kāi)關(guān)的閾值  VG=G極電壓

VT > VG  開(kāi)關(guān)開(kāi)啟；

VT < VG  開(kāi)關(guān)關(guān)閉；

原理：G極電壓越大，感應(yīng)電子越多，溝道越寬，G極與溝道間有氧化層隔離;

 

 

D極電極越大，G極靠近漏極相對(duì)電壓小，溝道受影響寬窄不同，窄處電流密度大；

S極電流IDS根據(jù)它的電壓VDS增大而線性增大的“線性區(qū)”。如下圖所示：

 

 

G極電壓絕對(duì)值沒(méi)降低，如下圖所示：

靠近漏極溝道變窄：因G極的影響部分被漏極抵消+部分G極吸引形成溝道電子被D極正電壓吸過(guò)去。

當(dāng)D極電壓繼續(xù)升高，超過(guò)G極電壓，溝道右邊不滿(mǎn)足開(kāi)通條件而“夾斷”。因G極對(duì)電子

要注意的是，這時(shí)柵極電壓絕對(duì)值并沒(méi)有降低，靠近漏極溝道變窄的原因，是柵極的影響力吸引力被漏極取代，此時(shí)MOS管進(jìn)入“飽和區(qū)”，電流難大過(guò)電壓。

 

理論：溝道“夾斷”

實(shí)際：夾斷點(diǎn)薄弱，夾斷點(diǎn)支撐它并不是原來(lái)P型區(qū)域，而是電壓升高吸引電子D極及其空間電荷區(qū)，因此電子沖入空間電荷區(qū)；

 

飽和區(qū)：溝道“夾而不斷”

D極溝道越來(lái)越窄，高速電子過(guò)來(lái)，擠過(guò)夾斷點(diǎn)進(jìn)入空間電荷區(qū)，D極正電場(chǎng)高速收集，D極電壓越高，夾斷點(diǎn)越后退，電子難穿過(guò)，飽和區(qū)電流不再隨電壓增大而線性增大。