場(chǎng)效應(yīng)管在音響領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，與體管有所區(qū)別的是場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型電子元器件，特性像電子管，它的優(yōu)勢(shì)：輸入阻抗高+功率增益大+噪聲小

場(chǎng)效應(yīng)管是單極型晶體管，只有一個(gè)PN結(jié)，零偏壓下導(dǎo)通，在柵極G與源極S間加反向偏壓，在反向電場(chǎng)作用下PN變厚即耗盡區(qū)，溝道變窄，漏極電流變小，等反向偏壓達(dá)某值，耗盡區(qū)溝道"夾斷"，場(chǎng)效應(yīng)管截止?fàn)顟B(tài)，反向偏壓即夾斷電壓Vpo；

公式：Vpo=Vps+|Vgs|

PS:|Vgs|=Vgs絕對(duì)值

 

場(chǎng)效應(yīng)管在制造時(shí)，在柵極材料加入，前在溝道上加一層很薄絕緣層，可減小柵極電流，增加輸入阻抗，可使場(chǎng)效應(yīng)管工作在正偏置狀態(tài)，即絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET;

因此：場(chǎng)效應(yīng)管=絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET+結(jié)型柵型效應(yīng)管JFET

結(jié)型柵型效應(yīng)管JFET只工作在反向偏置狀態(tài)；

 

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：增強(qiáng)型+耗盡型

1.正常下導(dǎo)通，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管；

2.正常下斷開，增強(qiáng)型效應(yīng)管；

 

增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管

Vgs=0  Id=0  Vgs=某值，開始導(dǎo)通，產(chǎn)生漏極電流，漏極電流開始出現(xiàn)，柵源電壓Vgs開啟電壓；

 

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管

正,負(fù)柵源電壓下工作，柵極無電流，輸入電阻高； 

 

在應(yīng)用應(yīng)該電路中

結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)管JFET可用絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管代替；

絕緣柵增強(qiáng)型場(chǎng)效管不可用結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)管代替；

N溝道結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)構(gòu)圖