不同封裝和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET組件技術(shù)

 

帶CoolSiC™的電源模塊 MOSFET為逆變器設(shè)計(jì)人員提供了新的機(jī)會(huì)，實(shí)現(xiàn)了前所未有的效率和功率密度。此外，碳化硅（SiC）正根據(jù)不同的可用拓?fù)洌◤?/span>45 mOhm到2 mOhm RDS（on））進(jìn)行定制以滿足應(yīng)用需求。

英飛凌infineon的1200V SiC MOSFET模塊有3級(jí)、雙級(jí)、四組、六組或增壓器等不同配置，采用最先進(jìn)的溝槽設(shè)計(jì)、同類最佳的開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提供了優(yōu)越的柵氧化層可靠性。

所有EasyPACK™, EasyDUAL™ and 62mm CoolSiC™  MOSFET功率模塊可訂購(gòu)預(yù)先應(yīng)用的熱接口材料（TIM）。

 

 

英飛凌infineon碳化硅CoolSiC™ MOSFET模塊優(yōu)勢(shì)

高頻操作

1.功率密度增加

2.最高效率，減少冷卻工作量

3.降低系統(tǒng)和運(yùn)營(yíng)成本

 

 

英飛凌infineon碳化硅CoolSiC™ MOSFET模塊特征

1.與Si相比，開(kāi)關(guān)損耗降低約80%

2.卓越的柵氧化可靠性

3.具有低反向恢復(fù)電荷的本征體二極管

4.Vth>4V的最高閾值電壓

 

sicmosfet 650伏和1200伏柵極驅(qū)動(dòng)集成電路

CoolSiC等超快速開(kāi)關(guān)功率晶體管™ mosfet可以通過(guò)隔離的柵極輸出部分更容易處理。因此，電隔離的二十面體™ 基于英飛凌無(wú)芯變壓器技術(shù)的集成電路被推薦為最合適的。