CoolGaN™ 新電源模式

氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是，與硅mosfet相比，更高的臨界電場(chǎng)使其對(duì)具有優(yōu)異動(dòng)態(tài)通態(tài)電阻和更小電容的功率半導(dǎo)體器件非常有吸引力，這使得GaN-hemt非常適合于高速開(kāi)關(guān)。不僅因?yàn)橛纱斯?jié)省了電力和降低了整個(gè)系統(tǒng)的成本，它還允許更高的工作頻率，提高了功率密度以及整個(gè)系統(tǒng)的效率。

GaN功率晶體管最重要的特點(diǎn)是反向恢復(fù)性能。作為英飛凌infineon的CoolGaN™晶體管沒(méi)有少數(shù)載流子，也沒(méi)有體二極管，它們不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)，這使得它們非常適合半橋拓?fù)洹?/span>

最終效率和可靠性

英飛凌infineon的CoolGaN™ 是一種高效率的GaN晶體管技術(shù)，可在高達(dá)600V的電壓范圍內(nèi)進(jìn)行功率轉(zhuǎn)換。英飛凌憑借其在半導(dǎo)體市場(chǎng)的長(zhǎng)期經(jīng)驗(yàn)，使e模式概念走向成熟，實(shí)現(xiàn)了端到端的大批量生產(chǎn)。領(lǐng)先的質(zhì)量保證了最高的標(biāo)準(zhǔn)，并提供了最可靠和最有效的解決方案在市場(chǎng)上的所有甘亨特。

利用CoolGaN™的開(kāi)關(guān)電源電路 可以從提高的能源效率和提高的功率密度中獲益，這是最先進(jìn)的硅器件不可能實(shí)現(xiàn)的。在200-250kHz以上的高頻操作中，開(kāi)關(guān)速度是決定能量傳遞方式的關(guān)鍵。

英飛凌infineon CoolGaN™的超快切換速度 使死區(qū)時(shí)間很短。預(yù)計(jì)使用壽命超過(guò)15年，故障率低于1次，客戶可以信賴其可靠性和質(zhì)量。

 GaN EiceDRIVER™ 系列

與英飛凌的所有功率晶體管一樣，CoolGaN™ 系列是由它的一系列門驅(qū)動(dòng)器支持的，其中包括GaN-EiceDRIVER™ 系列。

使用Infineon的單通道隔離GaN-Eidedriver™享受簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)集成電路，是為了在高壓CoolGaN™中高效工作而開(kāi)發(fā)的 600V設(shè)計(jì)和縮短上市時(shí)間與廣泛提供贛評(píng)估板。

英飛凌的高性能CoolGaN™ e-mode-HEMTs有頂部和底部冷卻的表面貼裝。允許最高的效率和功率密度以及最佳的熱行為在各自的應(yīng)用。

這些e-mode HEMTs面向消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用，如服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信、電信、適配器/充電器、無(wú)線充電和音頻等，具有市場(chǎng)上最強(qiáng)大和最具性能的概念。