1.R＋C的啟動(dòng)電路中電阻損耗，在待機(jī)時(shí)損耗大；

解決方案：

1.兼容產(chǎn)品啟動(dòng)+短路能力+取大R值

2.不讓R工作

 

 

2.變壓器待機(jī)時(shí)的鐵損+銅損

解決方案：

1.鐵損：受(工作頻率+感量值)影響，因此設(shè)計(jì)變壓器時(shí)注意工作頻率值+感量值要在適合范圍內(nèi)；

2.銅損：很小，影響不大，設(shè)計(jì)變壓器時(shí)適當(dāng)選擇線徑+匝數(shù)；

 

3.開關(guān)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管待機(jī)時(shí)損耗

解決方案：

1.芯片選擇：（降低空載+輕載）的工作頻率+低柵荷MOS管效應(yīng)管

2.（整流管+反向恢復(fù)+導(dǎo)通）的損耗，選導(dǎo)通壓降+反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管

 

 

 

4.開關(guān)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管吸收電路的損耗

 

1)開關(guān)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管D極S極間的電容（吸收MOS管場(chǎng)效應(yīng)管上電壓尖峰），它的C5損耗

解決方案：吸收電容取值越小越好，但要在MOS管場(chǎng)效應(yīng)管夠余量前提下；

 

2)輸出整流管RC吸收電路損耗；

解決方案：減?。?/span>電容C12容值 +電阻R6阻值）

 

5.輸出端假負(fù)載電阻損耗

解決方案：假負(fù)載電阻選值小，損耗小，但要在模塊性能穩(wěn)定前提下；

 

6.IC損耗

解決方案：減小工作電流值