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設(shè)計(jì)應(yīng)用

MOS管開(kāi)關(guān)功能與三極管優(yōu)劣對(duì)比

時(shí)間:2020/4/3閱讀:3079 關(guān)鍵詞:MOS管

MOS場(chǎng)效應(yīng)管與三極管比較

1.功能:MOS管電壓控制,三極管電流控制

2.功耗:MOS管損耗小,三極管損耗大

3.成本:MOS三極管

4.驅(qū)動(dòng)能力mos管電源開(kāi)關(guān),大電流電路開(kāi)關(guān)控制基極或漏極控制電流比較敏感

5.三極管數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制,在沒(méi)有足夠資金時(shí),先考慮三極管,其次是MOS

 

MOS場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)勢(shì)

1.MOS場(chǎng)效應(yīng)管高輸入阻抗+低噪聲

2.MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型和絕緣柵型。

3.MOS場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制,晶體管電流控制

當(dāng)只允許從信號(hào)源取較少電流時(shí),選場(chǎng)效應(yīng)管;

當(dāng)信號(hào)電壓較低,允許從信號(hào)源取較多電流時(shí),選晶體管;

4.MOS場(chǎng)效應(yīng)管源極和漏極可互換使用,柵極電壓正負(fù)互換,靈活性好。

5.MOS場(chǎng)效應(yīng)管小電流+低電壓下工作,場(chǎng)效應(yīng)管集成在硅片上,集成電路應(yīng)用。

6.MOS場(chǎng)效應(yīng)管是單極型多數(shù)載流子導(dǎo)電,晶體管是雙極型多數(shù)載流子少數(shù)載流子導(dǎo)電。

 

 

工作原理:

 

晶體管工作原理

npn管射極跟隨器

基極不加電壓:

基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子(基區(qū)為空穴,發(fā)射區(qū)為電子)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),在此pn結(jié)處會(huì)感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場(chǎng)(即內(nèi)建電場(chǎng))。

基極加電壓:

基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū),外加電壓產(chǎn)生電場(chǎng)大于內(nèi)建電場(chǎng)時(shí),基區(qū)的載流子(電子)才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū),此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v)。

 

時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會(huì)有電荷存在,如果集電極-發(fā)射極加正電壓,在電場(chǎng)作用下,發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動(dòng)(實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動(dòng)),由于基區(qū)寬度很小,電子很容易越過(guò)基區(qū)到達(dá)集電區(qū),并與此處的PN的空穴復(fù)合(靠近集電極),為維持平衡,在正電場(chǎng)的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動(dòng),而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動(dòng),此過(guò)程類似一個(gè)雪崩過(guò)程,集電極的電子通過(guò)電源回到發(fā)射極。

 

 

三極管工作原理:

三極管:通過(guò)載流子運(yùn)動(dòng)形成電流。

兩個(gè)pn結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷,當(dāng)做開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),三極管處于飽和狀態(tài),如果這時(shí)三極管截至,pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài),這個(gè)過(guò)程需要時(shí)間。

 

MOS工作原理:

MOS無(wú)需這個(gè)恢復(fù)時(shí)間,可作高速開(kāi)關(guān)管。