MOS管場效應(yīng)管與三極管比較

1.功能：MOS管電壓控制，三極管電流控制

2.功耗：MOS管損耗小，三極管損耗大

3.成本：MOS管比三極管貴

4.驅(qū)動能力：mos管電源開關(guān)，大電流電路開關(guān)控制，基極或漏極控制電流比較敏感處

5.三極管數(shù)字電路開關(guān)控制，在沒有足夠資金時(shí)，先考慮三極管，其次是MOS管

 

MOS管場效應(yīng)管優(yōu)勢

1.MOS管場效應(yīng)管：高輸入阻抗+低噪聲。

2.MOS管場效應(yīng)管：結(jié)型和絕緣柵型。

3.MOS管場效應(yīng)管電壓控制，晶體管電流控制：

當(dāng)只允許從信號源取較少電流時(shí)，即選場效應(yīng)管；

當(dāng)信號電壓較低，允許從信號源取較多電流時(shí)，即選晶體管；

4.MOS管場效應(yīng)管：源極和漏極可互換使用，柵極電壓正負(fù)互換，靈活性好。

5.MOS管場效應(yīng)管：小電流+低電壓下工作，場效應(yīng)管可集成在硅片上，在集成電路中應(yīng)用。

6.MOS管場效應(yīng)管是單極型：多數(shù)載流子導(dǎo)電，晶體管是雙極型：多數(shù)載流子和少數(shù)載流子導(dǎo)電。

 

 

工作原理：

 

晶體管工作原理：

npn管射極跟隨器：

基極不加電壓：

基區(qū)和發(fā)射區(qū)組成的pn結(jié)為阻止多子（基區(qū)為空穴，發(fā)射區(qū)為電子）的擴(kuò)散運(yùn)動，在此pn結(jié)處會感應(yīng)出由發(fā)射區(qū)指向基區(qū)的靜電場（即內(nèi)建電場）。

基極加電壓：

基極外加正電壓的指向?yàn)榛鶇^(qū)指向發(fā)射區(qū)，外加電壓產(chǎn)生電場大于內(nèi)建電場時(shí)，基區(qū)的載流子（電子）才有可能從基區(qū)流向發(fā)射區(qū)，此電壓的最小值即pn結(jié)的正向?qū)妷海üこ躺弦话阏J(rèn)為0.7v）。

 

這時(shí)每個(gè)pn結(jié)的兩側(cè)都會有電荷存在，如果集電極-發(fā)射極加正電壓，在電場作用下，發(fā)射區(qū)的電子往基區(qū)運(yùn)動（實(shí)際上都是電子的反方向運(yùn)動），由于基區(qū)寬度很小，電子很容易越過基區(qū)到達(dá)集電區(qū)，并與此處的PN的空穴復(fù)合（靠近集電極），為維持平衡，在正電場的作用下集電區(qū)的電子加速外集電極運(yùn)動，而空穴則為pn結(jié)處運(yùn)動，此過程類似一個(gè)雪崩過程，集電極的電子通過電源回到發(fā)射極。

 

 

三極管工作原理：

三極管：通過載流子運(yùn)動形成電流。

兩個(gè)pn結(jié)都會感應(yīng)出電荷，當(dāng)做開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，如果這時(shí)三極管截至，pn結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過程需要時(shí)間。

 

MOS管工作原理：

MOS管無需這個(gè)恢復(fù)時(shí)間，可作高速開關(guān)管。