我們一般把MOS管（場效應(yīng)管）稱之為被電壓控制的元器件； 

在MOS電容的柵極相對于襯底正偏置時，穿過柵極絕緣層的電場加強，會有更多的電子從BACKGATE被拉上，并且空穴被排斥出表面。

當(dāng)柵極電壓的升高時，會出現(xiàn)表面電子比空穴更多，電子過過剩，硅表層因此像N型硅，

摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)硅層叫做溝道。

柵極的電壓不斷的上升，在其的表層聚集的電子不斷的增多，溝道則變成強反轉(zhuǎn)，在溝道形成的電壓稱之閾值電壓Vt，柵極與襯底之間產(chǎn)生電壓小于閾值電壓Vt時，并不會形成溝道；

1.如果說MOS管（場效應(yīng)管）是電壓控制的元器件，那么晶體則是電流控制的元器件，

在開關(guān)電源設(shè)計時如何選擇，如果是只允許從信號源取較少電流，則選擇MOS管（場效應(yīng)管），在信號電壓較低時，并允許從信號源取較少電流，那么則選擇晶體管。

2.MOS管（場效應(yīng)管）是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，即被稱之單極型元器件，晶體管則是多數(shù)載流子和利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，則被稱之雙極型元器件。

3.MOS管（場效應(yīng)管）的源極與漏極可互換使用，柵極電壓正負可換；

4.MOS管（場效應(yīng)管）電壓及電流可很低即可工作，可多個MOS管（場效應(yīng)管）集成在硅片上使用。

5.晶體管輸入阻抗較高，低噪音。

 

三極管

是電流放大元器件，也被稱之電流控制型元器件，分三極：集電極C，基極B，發(fā)射極E，分有NPN和PNP；

基極電流Ib：是從基極B流至發(fā)射極E的電流；

集電極電流 Ic：是從集電極C流至發(fā)射極E的電流；

 

電流如何放大

集電極電流受基極電流的控制，基極電流變化小，集電極電流則變化大，此種變化到一定的程度并達到一定的比例；

如果集電極電流變化量是基極電流變化量的β倍，即電流變化被放大β倍，此處β叫做三極管放大倍數(shù)；

 

MOS管（場效應(yīng)管）與三極管對比

1.MOS管（場效應(yīng)管）電壓控制，三極管電流控制，三極管放大電流，MOS管（場效應(yīng)管）將柵極電壓轉(zhuǎn)換為漏極電流；

2.MOS管（場效應(yīng)管）的線性比三極管好；

3.MOS管（場效應(yīng)管）的噪音比三極管?。?/span>

4.MOS管（場效應(yīng)管）的種類比三極管復(fù)雜；

5.MOS管（場效應(yīng)管）比三極管消耗電流??；

6.MOS管（場效應(yīng)管）比三極管貴；