OptiMOS™ 5功率MOSFET，提高了溫度額定值，提高了穩(wěn)健性

 

OptiMOS™ 5功率MOSFET在SuperSO8封裝提供了最新的技術(shù)，并在封裝溫度的改善。這種新的組合使得更高的功率密度和更強(qiáng)的魯棒性。

與額定值較低的設(shè)備相比，175°C TJ_MAX功能在較高的工作結(jié)溫度下提供更多的功率，或在相同的工作結(jié)溫度下提供更長的使用壽命。此外，安全操作區(qū)（SOA）的性能提高了20%。這個(gè)新的軟件包功能非常適合電信、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和服務(wù)器等應(yīng)用。

 

英飛凌MOS管BSC014N06NST的特征概要

 

1.低RDS（開）

2.針對(duì)同步整流進(jìn)行優(yōu)化

3.增強(qiáng)了SuperSO8的175°C性能

 

英飛凌MOS管BSC014N06NST的優(yōu)勢

1.壽命更長

2.最高效率和功率密度

3.最高的系統(tǒng)可靠性

4.熱穩(wěn)定性

 

英飛凌MOS管BSC014N06NST的應(yīng)用

1.電機(jī)驅(qū)動(dòng)

2.服務(wù)器

3.電信

 

英飛凌MOS管BSC014N06NST的參數(shù)