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MOS場效應(yīng)管發(fā)熱原因有以下幾點(diǎn)： 在電路設(shè)計(jì)之初： 1.選擇MOS場效應(yīng)管錯(cuò)誤，對功率和內(nèi)阻分析有誤； 2.設(shè)計(jì)散熱不足，電流過高，MOS場效應(yīng)管未達(dá)到標(biāo)稱電流值，ID?< 最大電流，可能嚴(yán)重發(fā)熱，要有輔助散熱片； 3.MOS場效應(yīng)管工作在開關(guān)狀態(tài)： 若：NMOS場效應(yīng)管作為開關(guān)，G極電壓?> 電源電壓高?(幾V)，即完全導(dǎo)通， PMOS場效應(yīng)管則相反，如果完全沒打開，壓降過大造成功率消耗， 等效直流阻抗大，壓降增大，U*I增大，損耗增加，即發(fā)熱； PS：如果MOS場效應(yīng)管工作在線性狀態(tài)則不會(huì)發(fā)熱； 4.頻率過高，過度在意體積，致頻率升高，管子損耗增加，因此發(fā)熱；

互補(bǔ)功率MOSFET場效應(yīng)管是英飛凌著名的低電壓OptiMOS的一部分，在同一個(gè)封裝中有一個(gè)n溝道和一個(gè)p溝道功率MOSFET? 家庭，發(fā)電（如太陽能微型逆變器）、電源（如服務(wù)器和電信）和功耗（如電動(dòng)汽車）的高效解決方案的市場領(lǐng)導(dǎo)者。 英飛凌MOS場效應(yīng)管BSL215C功能概述 1.互補(bǔ)p-+n通道 2.增強(qiáng)模式 3.雪崩額定值 4.根據(jù)AEC Q101認(rèn)證 5.100%無鉛；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 潛在應(yīng)用 1.汽車 2.直流-直流 3.控制電機(jī) 4.車載充電器

英飛凌infineon的100V OptiMOS? 功率mosfet為高效率、高功率密度的開關(guān)電源提供了優(yōu)越的解決方案。與次優(yōu)技術(shù)相比，該系列在R DS（on）和FOM（優(yōu)值）方面都降低了30%。 英飛凌MOS場效應(yīng)管BSC100N10NSF G功能概述 1.出色的切換性能 2.世界最低研發(fā)水平（開） 3.非常低的Q g和Q gd 4.出色的門極充電x R DS（on）產(chǎn)品（FOM） 5.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鹵 6.MSL1等級2 優(yōu)勢 1.環(huán)境友好型 2.提高效率 3.最高功率密度 4.不需要并聯(lián) 5.最小的板空間消耗 6.易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品 潛在應(yīng)用 1.AC-DC開關(guān)電源的同步整流 2.48V–80V系統(tǒng)的電機(jī)控制（即家用車輛、電動(dòng)工具、卡車） 3.隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器（電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng) 4.或48V系統(tǒng)中的開關(guān)和斷路器 5.D類音頻放大器 6.不間斷電源（UPS）

CMOS場效應(yīng)管圖像傳感器配置好—收到開始采集信號—開始圖像采集—將采集到的圖像信息送入DSP； DSP將CMOS場效應(yīng)管圖像傳感器采集到圖像數(shù)據(jù)存入片外存儲(chǔ)器SDRAM中，根據(jù)圖像識別算法要求，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，將結(jié)果傳輸?shù)斤@示器； CMOS場效應(yīng)管圖像傳感器 此統(tǒng)選CMOS場效應(yīng)管圖像傳感器：MT9T001 MT9T001：MICRON公司1/2英寸有效像素為300萬像素CMOS彩色圖像傳感器； 芯片在默認(rèn)模式下工作或自己編程設(shè)計(jì)幀大小，曝光時(shí)間，增益等參數(shù)；

壓電陶瓷類變形鏡對高壓驅(qū)動(dòng)電源要求： 1.雙極性高壓輸出； 2.高動(dòng)態(tài)性能； 3.動(dòng)電源具有穩(wěn)定性高； 4.線性度好； 5.紋波?。? 驅(qū)動(dòng)電源用直流放大式原理結(jié)構(gòu) 組成：誤差放大級+高壓功率放大級+電壓負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)+高壓直流電源； 原理： 1.誤差放大級放大輸入低壓控制信號與電壓反饋信號的差值形成負(fù)反饋，穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)電源閉環(huán)的電壓增益； 2.高壓功率放大級實(shí)現(xiàn)電壓和電流的放大； 3.滿足變形鏡驅(qū)動(dòng)對電壓和電流的要求； 4.高壓直流電源為高壓功率放大級提供高壓直流電壓；

OptiMOS??560V適用于開關(guān)模式電源（SMP）的同步整流，如服務(wù)器、臺式機(jī)和平板電腦充電器。此外，這些器件是一個(gè)理想的選擇，廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括電機(jī)控制，太陽能微型逆變器和快速開關(guān)直流-直流變換器。 英飛凌MOS場效應(yīng)管BSC097N06NS功能概述 1.優(yōu)化同步整流 2.比替代設(shè)備低40%（開） 3.FOM比同類設(shè)備提高40% 4.符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)-無鹵素 5.MSL1額定值 優(yōu)勢 1.最高的系統(tǒng)效率 2.不需要并聯(lián) 3.功率密度增加 4.降低系統(tǒng)成本 5.極低電壓過沖 潛在應(yīng)用 1.同步整流 2.太陽能微型逆變器 3.隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器 4.12-48V系統(tǒng)的電機(jī)控制 5.Or-ing 開關(guān)

超低的柵極和輸出電荷，再加上小尺寸封裝中最低的導(dǎo)通電阻，使得OptiMOSOptiMOS成為可能x?25V是滿足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應(yīng)用中電壓調(diào)節(jié)器解決方案要求的最佳選擇。OptiMOS? 30V產(chǎn)品通過改善EMI行為以及延長電池壽命來滿足筆記本電腦電源管理的需要。提供半橋配置（功率級5x6） 英飛凌MOS場效應(yīng)管BSC072N03LD?G功能概述 1.超低柵極和輸出電荷 2.小尺寸封裝中的導(dǎo)通狀態(tài)電阻最低 3.易于設(shè)計(jì) 英飛凌MOS場效應(yīng)管BSC072N03LD?G優(yōu)勢 1.延長電池壽命 2.改善EMI行為，使外部緩沖網(wǎng)絡(luò)過時(shí) 3.節(jié)約成本 4.節(jié)省空間 5.減少功率損耗

1.PFC在缺乏欠壓保護(hù)時(shí)，交流電壓降到?< 90V，電路也可能保持工作，此時(shí)會(huì)產(chǎn)生高開關(guān)峰值電流，因此干擾，應(yīng)力超出正常范圍；2.PFC控制環(huán)路速度慢，平滑100Hz/120Hz交流整流紋波，PFC反應(yīng)時(shí)間必須達(dá)到數(shù)十ms， 若：控制電路，IC無優(yōu)化，啟動(dòng)過程會(huì)產(chǎn)生大沖擊電流（正常的5-10倍）； 3.PFC輸入電壓范圍比較寬，目前電源交流電壓在90-264V下工作，因此MOS管要有足夠耐壓等級又要承受大電流；

開啟過程由Miller Plateau造成的 第一階段：Vgs?< Vth??MOS管關(guān)斷，Ids = 0?Vds=high???ig充電Cgs；? 第二階段：Vgs?> Vth??MOS管開啟，Ids從0增加到iL被外部電流源電感鉗住，Coss（Cds）的電壓不變保持Vds； 第三階段：Miller plateau，Vgs >?Vth??MOS管保持開啟，Coss開始discharge，Vds電壓開始下降，Cgd開始被ig充電，Vg不變； 第四階段：Vd下降至0點(diǎn)附近，ig繼續(xù)給Cgs，Cgd充電； 第五階段：Vg到gate driver預(yù)定電壓，MOS管開啟完成； Switching Loss是在MOS管開啟時(shí)VDS上有原始電壓，Ids和Vds重疊所引起的； Coss能量極短時(shí)間內(nèi)被釋放，電容上能量會(huì)損失掉 Loss=0.5*Coss*Vds^2*fs 非零電壓開啟Non Zero Voltage Switching，給PCB，MOS寄生電感，電容形成諧振腔引入很大dv/dt或di/dt激勵(lì)，然而引起很大ringing，或者超過MOS管額定電壓，那么MOS管直接燒壞； 避免MOS管燒壞解決方案 實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)開啟Zero Voltage Switching Turn on

什么是貼片 貼片：是一種封裝，也叫SMT； 是表面貼裝技術(shù)，是把適合于SMT生產(chǎn)的電子元件貼裝在PCB板上，是經(jīng)過一定工藝加工成裝有電子元器件線路板技術(shù)； SMT是表面貼裝技術(shù)或表面組裝技術(shù) 全稱：Surface Mounted Technology 是電子電路表面組裝技術(shù)，也稱為表面貼裝或表面安裝技術(shù)； 也被稱為片狀元器件SMC/SMD：是一種將無引腳或短引線表面組裝電子元器件； 安裝在印制電路板PCB表面，通過再流焊或浸焊等方法焊接組裝電路裝連技術(shù)。