電源電壓高?(幾V),即完全導(dǎo)通, PMOS場(chǎng)效應(yīng)管則相反,如果完全沒打開,壓降過大造成功率消耗, 等效直流阻抗大,壓降增大,U*I增大,損耗增加,即發(fā)熱; PS:如果MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作在線性狀態(tài)則不會(huì)發(fā)熱; 4.頻率過高,過度在意體積,致頻率升高,管子損耗增加,因此發(fā)熱;">

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設(shè)計(jì)應(yīng)用

MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱原因-mos場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)-竟業(yè)電子

時(shí)間:2020/9/10閱讀:2374 關(guān)鍵詞:MOS場(chǎng)效應(yīng)管

要了解MOS管發(fā)熱原因之前,我們要先了解MOS管原理

 

MOS場(chǎng)效應(yīng)管是由加在輸入端柵極電壓來控制輸出端漏極電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電子元器件:即通過加在柵極上電壓控制電子元器件

在開關(guān)應(yīng)用中,MOS場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)速度比較快;

MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作原理圖如下所示:

 

MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱原因

 

NMOS場(chǎng)效應(yīng)管漏極開路電路如下所示

開路漏極漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載,開路漏極電路中負(fù)載所接電壓多高,都不影響負(fù)載電流的導(dǎo)通與關(guān)斷,所以是理想模擬開關(guān)電子元器件;

MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱原因

 

MOS場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)熱原因有以下幾點(diǎn):

在電路設(shè)計(jì)之初:

1.選擇MOS場(chǎng)效應(yīng)管錯(cuò)誤,對(duì)功率和內(nèi)阻分析有誤;

2.設(shè)計(jì)散熱不足,電流過高,MOS場(chǎng)效應(yīng)管未達(dá)到標(biāo)稱電流值,ID < 最大電流,可能嚴(yán)重發(fā)熱,要有輔助散熱片;

3.MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作在開關(guān)狀態(tài):

若:NMOS場(chǎng)效應(yīng)管作為開關(guān),G電壓 > 電源電壓高 (V),即完全導(dǎo)通,

PMOS場(chǎng)效應(yīng)管則相反,如果完全沒打開,壓降過大造成功率消耗,

等效直流阻抗大,壓降增大,U*I增大損耗增加,即發(fā)熱;

PS:如果MOS場(chǎng)效應(yīng)管工作在線性狀態(tài)則不會(huì)發(fā)熱;

4.頻率,過度在意體積,致頻率,管子損耗增加,因此發(fā)熱;