Vth??MOS管開啟,Ids從0增加到iL被外部電流源電感鉗住,Coss(Cds)的電壓不變保持Vds; 第三階段:Miller plateau,Vgs >?Vth??MOS管保持開啟,Coss開始discharge,Vds電壓開始下降,Cgd開始被ig充電,Vg不變; 第四階段:Vd下降至0點(diǎn)附近,ig繼續(xù)給Cgs,Cgd充電; 第五階段:Vg到gate driver預(yù)定電壓,MOS管開啟完成; Switching Loss是在MOS管開啟時VDS上有原始電壓,Ids和Vds重疊所引起的; Coss能量極短時間內(nèi)被釋放,電容上能量會損失掉 Loss=0.5*Coss*Vds^2*fs 非零電壓開啟Non Zero Voltage Switching,給PCB,MOS寄生電感,電容形成諧振腔引入很大dv/dt或di/dt激勵,然而引起很大ringing,或者超過MOS管額定電壓,那么MOS管直接燒壞; 避免MOS管燒壞解決方案 實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)開啟Zero Voltage Switching Turn on ">

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設(shè)計(jì)應(yīng)用

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案-竟業(yè)電子

時間:2020/8/27閱讀:5128 關(guān)鍵詞:MOS管

NMOS管特性

Vgs  > 一定值導(dǎo)通,

應(yīng)用:源極接地,低端驅(qū)動

柵極電壓 > 參數(shù)手冊中給定Vgs,漏極D接電源,源極S接地。

Vgs是柵極G與源極S壓差;

NMOS作為高端驅(qū)動,當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通,漏極D電勢=源極S電勢,

柵極G電壓 > 源極S與漏極D電壓,漏極D與源極S繼續(xù)導(dǎo)通。

 

MOS管開關(guān)電流波形分析

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案

如上圖所示:

MOS代替雙極結(jié)型管

ids = ic   Vds=Vce   Coss=Cds 輸出電容

MOS管開始導(dǎo)通輸出電容Coss保持Vds電壓,Ids電流不斷變大,Vds電壓開始下降,直到MOS管完全開啟。

 

開啟過程由Miller Plateau造成的

第一階段Vgs < Vth  MOS管關(guān)斷,Ids = 0 Vds=high   ig充電Cgs; 

第二階段Vgs > Vth  MOS開啟Ids0增加到iL被外部電流源電感鉗住,CossCds電壓不變保持Vds

第三階段Miller plateau,Vgs > Vth  MOS保持開啟Coss開始discharge,Vds電壓開始下降,Cgd開始被ig充電,Vg不變;

第四階段Vd下降0點(diǎn)附近,ig繼續(xù)給Cgs,Cgd充電;

第五階段Vggate driver預(yù)定電壓,MOS開啟完成;

 

Switching Loss是在MOS管開啟時VDS上有原始電壓,IdsVds重疊所引起的;

Coss能量極短時間內(nèi)被釋放,電容上能量會損失掉

Loss=0.5*Coss*Vds^2*fs

 

非零電壓開啟Non Zero Voltage Switching,給PCBMOS寄生電感,電容形成諧振腔引入很大dv/dtdi/dt激勵,然而引起很大ringing,或者超過MOS管額定電壓,那么MOS管直接燒壞;

 

避免MOS管燒壞解決方案

實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)開啟Zero Voltage Switching Turn on

 

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案

開啟MOS管前,Vds=0,IdsVds不重

turn on switching loss=0   igh di/dtdv/dt,ringing問題

 

PWM converter;

例如:兩個MOShalf bridgebuck converter

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案

 

 

half bridge 實(shí)現(xiàn)ZVS turn on

Q1開啟電流流進(jìn)switching node vsw,電感電流 < 0,

Q2開啟,電流流出switching node vsw,電感電流 > 0

 

Q1開啟過程

電感電流iL<0,關(guān)閉Q2,

Q1未開啟,deadTImeiLcharge Q2Coss,使Vsw  Vin

Q1body diode導(dǎo)通,鉗位住VswVin

此時:Q1Vds  Vin-Vsw=0  開啟Q1實(shí)現(xiàn)ZVS;

 

Q2開啟,電感電流>0,先關(guān)閉Q1管,Vsw被電感電流拉低0,

iL > 0, Q2Coss  discharged0,開啟Q2,實(shí)現(xiàn)ZVS

 

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案

 

resonant converter(諧振變換器)

 

開啟MOS前,Vds=0

resonant converter half bridge

Impedance=inducTIve,是感性,switching node流出電流I滯后電壓V,實(shí)現(xiàn)ZVS turn on

 

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案

 

若:電流I是滯后電壓V,Q1開啟前電流I <0 charge Q2Coss,

dischargeQ1CossVVin,Q1實(shí)現(xiàn)ZVS turn on;

Q2開啟前,電流I> 0discharge Q2Coss,charge Q1Coss,讓V=0,Q2實(shí)現(xiàn)ZVS;

 

 

ZVS buck converters在設(shè)計(jì)上,開關(guān)頻率小點(diǎn),電感值小點(diǎn),讓電感電流ripple足夠大,能達(dá)到負(fù)值。

Resonantconverter通過積分方法,算出it的積分,讓it積分 > Cosscharge。

若:已知impedance,算出VIphase shift,后換算成時間td,在td上對電感電流進(jìn)行積分,積分  Coss*Vin;

 

MOS管開關(guān)電流波形分析MOS損壞及解決方案