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英飛凌infineon固態(tài)繼電器（SSRs）是開/關(guān)遠(yuǎn)程控制開關(guān)，從輸入到輸出完全的電流隔離。輸出不需要電源。使用繼電器可在大功率信號(hào)（例如交流和直流負(fù)載切換）上進(jìn)行低功耗控制（例如來自微處理器），同時(shí)在電路邏輯部分和大功率信號(hào)之間提供電流隔離。這種隔離裝置為用戶提供了免受電擊的保護(hù)，并保護(hù)電子（例如微處理器）免受高壓尖峰的損壞。

英飛凌infineon感應(yīng)無線充電-車內(nèi)充電 駕駛員的舒適性、便利性和安全性推動(dòng)了無線車載充電在最新一代汽車中的應(yīng)用。事實(shí)上，據(jù)預(yù)測(cè)，在不久的將來，大多數(shù)汽車都會(huì)有這種功能。這項(xiàng)技術(shù)允許司機(jī)和乘客將兼容的手機(jī)和平板電腦簡(jiǎn)單地放在一個(gè)指定的區(qū)域——通常放在中控臺(tái)的托盤上或手套箱里——這些設(shè)備可以在沒有有線連接的情況下充電。

英飛凌infineon超緊湊三相或半橋MOSFET-IPMs 超緊湊CIPOS? 納米是一系列集成度高的電力模塊，用于高效消費(fèi)和輕工業(yè)應(yīng)用。具有半橋和三相配置，CIPO? Nano用于電源管理電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的整流器、轉(zhuǎn)換器和逆變器階段，適用于風(fēng)扇、吹風(fēng)機(jī)、空氣凈化器和循環(huán)泵等應(yīng)用。通過實(shí)現(xiàn)一個(gè)創(chuàng)新的電源QFN封裝，該封裝利用PCB銅線來散熱，CIPO模塊? Nano系列提供了一個(gè)新的設(shè)備尺寸基準(zhǔn)，提供的足跡比現(xiàn)有三相電機(jī)控制功率IPM小60%。

CoolGaN? 新電源模式 氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是，與硅mosfet相比，更高的臨界電場(chǎng)使其對(duì)具有優(yōu)異動(dòng)態(tài)通態(tài)電阻和更小電容的功率半導(dǎo)體器件非常有吸引力，這使得GaN-hemt非常適合于高速開關(guān)。不僅因?yàn)橛纱斯?jié)省了電力和降低了整個(gè)系統(tǒng)的成本，它還允許更高的工作頻率，提高了功率密度以及整個(gè)系統(tǒng)的效率。 GaN功率晶體管最重要的特點(diǎn)是反向恢復(fù)性能。作為英飛凌infineon的CoolGaN?晶體管沒有少數(shù)載流子，也沒有體二極管，它們不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)，這使得它們非常適合半橋拓?fù)洹?/div>

時(shí)間：2020/9/29鍵詞：英飛凌

英飛凌infineon IGBT分立器件，功率模塊，甚至不同電壓和電流等級(jí)的堆棧解決方案。英飛凌infineon提供廣泛的IGBT芯片組合，組裝在離散塑料封裝中，稱為分立IGBT，可作為單個(gè)IGBT提供，并與續(xù)流二極管共同封裝。

帶CoolSiC?的電源模塊 MOSFET為逆變器設(shè)計(jì)人員提供了新的機(jī)會(huì)，實(shí)現(xiàn)了前所未有的效率和功率密度。此外，碳化硅（SiC）正根據(jù)不同的可用拓?fù)洌◤?5 mOhm到2 mOhm RDS（on））進(jìn)行定制以滿足應(yīng)用需求。 英飛凌infineon的1200V SiC MOSFET模塊有3級(jí)、雙級(jí)、四組、六組或增壓器等不同配置，采用最先進(jìn)的溝槽設(shè)計(jì)、同類最佳的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗，提供了優(yōu)越的柵氧化層可靠性。 所有EasyPACK?, EasyDUAL? and 62mm CoolSiC? ?MOSFET功率模塊可訂購(gòu)預(yù)先應(yīng)用的熱接口材料（TIM）。

N溝道和p溝道互補(bǔ)mosfet 英飛凌的互補(bǔ)功率mosfet將N溝道和P溝道m(xù)osfet以高、低側(cè)配置集成到一個(gè)封裝中。雙mosfet家族的特點(diǎn)是OptiMOS? 以及紅外MOSFET? 滿足當(dāng)今應(yīng)用的最高標(biāo)準(zhǔn)和性能要求的技術(shù)?；パa(bǔ)的MOSFET對(duì)確保了高效率和簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)。它們?cè)诠?jié)省空間的包中提供，用于成本優(yōu)化解決方案，如SO8、PQFN3x3和TSOP-6包。目標(biāo)應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電池管理和車載充電器。 英飛凌互補(bǔ)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管功能概述 1.單個(gè)封裝中的高、低壓MOSFET 2.高側(cè)P溝道MOSFET 3.行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳 4.與現(xiàn)有表面貼裝技術(shù)兼容 5.RoHS投訴

CIPOS? 不同封裝、電壓和電流等級(jí)的智能電源模塊。 英飛凌infineon提供各種IPM，不同封裝的不同半導(dǎo)體，不同的電壓和電流等級(jí)。這些IPM分為緊湊型、標(biāo)準(zhǔn)型和性能型。部分IPMs分為CIPO? 納米，CIPOS? 微型，CIPOS? 很小，CIPOS? Mini和CIPOS? 馬克西家族。這些節(jié)能智能功率模塊集成了最新的功率半導(dǎo)體和集成電路技術(shù)。 CIPOS? IPM是一系列高度集成、緊湊的功率模塊，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)從家用電器、風(fēng)扇、泵到通用驅(qū)動(dòng)器的電機(jī)。

第五代固定頻率CoolSET?的主要特點(diǎn): 1.100kHz和125kHz最大開關(guān)頻率； 2.集成700V和800V avalanche堅(jiān)固型CoolMOS? P7功率MOSFET家族； 3.棕色保護(hù)，采用共源共源代碼配置，快速可靠地啟動(dòng)操作； 4.級(jí)可選進(jìn)入/退出激活突發(fā)模式配置文件（能夠禁用）； 5.內(nèi)置數(shù)字軟啟動(dòng)； 6.逐周期峰值電流限制； 7.通過坡度補(bǔ)償支持DCM和CCM操作； 8.集成誤差放大器，支持非隔離反激拓?fù)涞闹苯臃答仯? 9.數(shù)字頻率降低，降低負(fù)載，提高效率； 10.可調(diào)線路輸入過壓保護(hù)（DIP-7包除外）； 11.VCC引腳對(duì)地短路保護(hù)； 12.OLP、輸出短路、OTP（滯后）和VCC過壓/欠壓保護(hù)； 13.自動(dòng)重啟所有保護(hù)功能； 14.800V集成MOSFET在SMD封裝中提供業(yè)界最高的功率傳輸，最高可達(dá)43W，無需散熱片；

英飛凌infineon基于開放和非專有標(biāo)準(zhǔn)的涵蓋所有媒體類型的產(chǎn)品和解決方案組合 利用非接觸式技術(shù)打造新的移動(dòng)體驗(yàn) 交通票務(wù)的未來將由便捷、安全和速度驅(qū)動(dòng)。為了滿足未來的市場(chǎng)需求，需要一種單一形式的多模式服務(wù)，無論是芯片紙質(zhì)機(jī)票、智能卡、移動(dòng)電話還是可穿戴設(shè)備。這些多功能設(shè)備必須將支付應(yīng)用的安全性與典型的非接觸式售票方案的速度和性能結(jié)合起來。這就需要新的、更強(qiáng)大、更快的安全解決方案，能夠保護(hù)乘客的證件并節(jié)省運(yùn)營(yíng)商成本。