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設(shè)計(jì)應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖和晶體管結(jié)構(gòu)圖-場(chǎng)效應(yīng)管晶體管特點(diǎn)區(qū)別-竟業(yè)電子

時(shí)間:2020/9/14閱讀:1697 關(guān)鍵詞:場(chǎng)效應(yīng)管

晶體管:英文transistor

一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一電子元器件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管(二端子)、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管(后三者均為三端子)等。

晶體管有時(shí)多指晶體三極管。

三端子晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管BJT+場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET,單極性。

如下圖所示

場(chǎng)效應(yīng)晶體管:英文Field Effect Transistor縮寫(xiě)FET  簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管

主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FETJFET)+金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET

由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。

 

場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn)

1.多子導(dǎo)電

2.電壓控制電子元器件;

3.柵極基本不取電流;

4.應(yīng)用:放大器件+可控開(kāi)關(guān)+作壓控可變線性電阻

5.源極和漏極結(jié)構(gòu)對(duì)稱,可互換使用,耗盡型MOS管柵極—源極電壓可正可負(fù);

6.工作條件:小電流+低電壓即可工作;

7.集成在一塊硅片上,在大規(guī)模集成電路中應(yīng)用;

 

晶體管特點(diǎn)

1.兩種載流子均參與導(dǎo)電;

2.電流控制電子元器件;

3.基極必須取一定的電流;

4.應(yīng)用:放大器件+及可控開(kāi)關(guān);