MOS管分類

MOS管即MOSFET全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor;

MOSFET可分：增強型+耗盡型，P溝道 + N溝道

通常被使用是：增強型N溝道MOS管 + 增強型P溝道MOS管

 

NMOS管優(yōu)勢

1.導(dǎo)通電阻小；

2.易制造；

如上圖所示：漏極與源極間有寄生二極管；

寄生二極管：單個MOS管中存在，集成電路芯片內(nèi)部沒有；

 

 

NMOS管導(dǎo)通特性：

Vgs  > 一定值， 導(dǎo)通；

應(yīng)用：源極S接地，低端驅(qū)動，柵極電壓=4V或10V； 

實際應(yīng)用：柵極電壓 > 4V或10V，才可完全導(dǎo)通；

 

PMOS管導(dǎo)通特性：

Vgs < 一定值，導(dǎo)通；

應(yīng)用：源極接VCC，高端驅(qū)動； 

缺點：導(dǎo)通電阻大，成本高；

 

NMOS與PMOS開關(guān)管損耗

導(dǎo)通后有導(dǎo)通電阻，電流在此電阻耗量，即導(dǎo)通損耗；

應(yīng)用選擇時，選擇導(dǎo)通電阻小MOS管來減小導(dǎo)通損耗； 

導(dǎo)通和截止，并不是在瞬間完成，

MOS管兩端電壓有下降，電流上升過程，出現(xiàn)開關(guān)損耗=電壓與電流乘積；

開關(guān)頻率越高，損耗越大；

減小開關(guān)損耗：

1.縮短開關(guān)時間：減小每次導(dǎo)通時損耗；

2.降低開關(guān)頻率：減小單位時間內(nèi)開關(guān)次數(shù)；

 

MOS管驅(qū)動注意事項

1.可提供瞬間短路電流大小；

原因：MOS管驅(qū)動是對電容充放電，充電需電流，電容充電瞬間可作電容短路，瞬間電流大；

 

2.選擇合適外接電容；

原因：高端驅(qū)動NMOS管，導(dǎo)通需 柵極電壓 > 源極電壓，

MOS管導(dǎo)通，源極電壓=漏極電壓（VCC）

柵極電壓 > VCC+(4V或10V)

因此，要專門升壓電路；