一塊摻雜濃度較低P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。

在漏極與源極間P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在絕緣層膜上裝一個(gè)鋁電極，為柵極G。

以此構(gòu)成N溝道（NPN型）增強(qiáng)型MOS管。

柵極與電極間絕緣。

A=結(jié)構(gòu)圖

B=符號(hào)

同上方法：一塊摻雜濃度較低N型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度P+區(qū)；

相同柵極制作過程：制成為一個(gè)P溝道（PNP型）增強(qiáng)型MOS管。

A=結(jié)構(gòu)圖

B=符號(hào)