開關(guān)MOS管電阻損耗計算公式如下：

PDRESISTIVE=［ILOAD2×RDS（ON）HOT］×（VOUT/VIN）

與同步整流器計算方法差不多。

 

開關(guān)MOS管損耗計算公式

PDSWITCHING=（CRSS×VIN2×fSW×ILOAD）/IGATE 

 

CRSS=MOS管反向轉(zhuǎn)換電容（一個性能參數(shù)）

fSW=開關(guān)頻率

 

考慮成本：選擇比較少，某一代MOS管功率耗散最小且具有相等電阻損耗和開關(guān)損耗的型號;

如用更小，更快的MOS管，電阻損耗增加幅度 > 開關(guān)損耗減小幅度

如用更大RDS（ON）低MOS管，開關(guān)損耗增加幅度 > 電阻損耗減小幅度

 

若VIN變化的，計算在VIN最大值和VIN最小值處開關(guān)MOS管功率耗散；

MOS管最差情況：功率耗散出現(xiàn)在最小或者是在最大輸入電壓處；

 

耗散=VIN（最小值）處達到最大的電阻耗散+VIN（最大值）最大開關(guān)耗散

理想選擇：理想耗散值=VIN極值耗散

它平衡VIN范圍內(nèi)的電阻耗散和開關(guān)耗散；

 

VIN最小值處耗散高：

以電阻損耗為主，應(yīng)采用大開關(guān)MOS管，并聯(lián)多個MOS管達到低RDS（ON）值；

VIN最大值處耗散高：

減小開關(guān)MOS管尺寸，如采用多個電子元器件，可去掉MOS管，可讓更快地開關(guān)；

 

電阻和開關(guān)損耗平衡太高

只能修改目標(biāo)設(shè)定，降低開關(guān)損耗：

1.重設(shè)輸入電壓范圍；

2.改變開關(guān)頻率；

可使更大，更低RDS（ON）值的開關(guān)MOS管成為可能，增大柵極驅(qū)動電流，降低開關(guān)損耗；

因MOS管本身限制了柵極驅(qū)動電流的內(nèi)部柵極電阻；

采用更快+開關(guān)并具有更低RDS（ON）值+更低柵極電阻，來改進MOS管技術(shù)；

MOS管最壞情況：功率必須得以耗散；