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設(shè)計(jì)應(yīng)用

高壓脈沖電源:高壓場效應(yīng)管MOS管/IGBT短路保護(hù)電路圖

時(shí)間:2020/6/9閱讀:4913 關(guān)鍵詞:MOS管

高壓脈沖電源帶短路保護(hù)鎖定驅(qū)動(dòng)如下圖所示:

圖所標(biāo)1驅(qū)動(dòng)輸出

圖所標(biāo)2驅(qū)動(dòng)地

圖所標(biāo)3短路信號(hào)檢測(cè)入端

此電路為理想狀態(tài)下原理

電路存在短路時(shí),流過MOS電流值大,S極電阻兩端產(chǎn)生壓降后,致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通,此時(shí)驅(qū)動(dòng)電阻壓降,MOS管進(jìn)入放大區(qū),高電壓不過MOS管進(jìn)行強(qiáng)行電流放電,

芯片不會(huì)局部過熱,短時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測(cè)到短路存在,并關(guān)閉鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出。

MOS安全性提高了,因在此過程中承受恒流功率損耗;

 

 

S級(jí)電阻:與MOSIDM相關(guān)。

三極管作用:

1.不工作在開關(guān)狀態(tài);

2.根據(jù)MOS瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS驅(qū)動(dòng)電壓,保證在短路時(shí),IDM不超出安全工作范圍;

此時(shí),由于  1US 時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)被關(guān)斷鎖定,無功損耗,三極管反映時(shí)間越快越好。

如下圖電路,為電流負(fù)反饋電路衍生而來: